[發明專利]放熱構件用組合物、放熱構件、電子機器及放熱構件的制造方法

在審

• 申請號: 201780015293.2
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN108699340A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 藤原武;服部貴之;稲垣順一;國信隆史;滝沢和宏;上利泰幸;平野寛;門多丈治;岡田哲周
• 申請（專利權）人: 捷恩智株式會社;地方獨立行政法人大阪產業技術研究所
• 主分類號: C08L83/04
• 分類號: C08L83/04;C08G59/32;C08K9/04;C08L63/00;C09K5/14
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 李艷;臧建明

1.一種放熱構件用組合物，其特征在于包含：

與第1偶合劑的一端鍵結的導熱性的第1無機填料；及

與第2偶合劑的一端鍵結的導熱性的第2無機填料；

通過硬化處理，所述第1偶合劑的另一端與所述第2偶合劑的另一端分別鍵結于二官能以上的倍半硅氧烷，或者

所述第1偶合劑與所述第2偶合劑的至少一者在其結構中包含倍半硅氧烷，且所述第1偶合劑的另一端與所述第2偶合劑的另一端相互鍵結。

2.根據權利要求1所述的放熱構件用組合物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為氮化物、金屬氧化物、硅酸鹽化合物、或碳材料。

3.根據權利要求1或2所述的放熱構件用組合物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為選自氮化硼、氮化鋁、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維、碳納米管、氧化鋁、堇青石中的至少一者。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的放熱構件用組合物，其還包含具有與所述第1無機填料及所述第2無機填料不同的熱膨脹率的第3無機填料。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的放熱構件用組合物，其還包含所述第1無機填料及所述第2無機填料所未鍵結的有機化合物或高分子化合物。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的放熱構件用組合物，其中所述二官能以上的倍半硅氧烷為具有氧雜環丙基、氧雜環丙烯基、琥珀酸酐、鄰苯二甲酸酐、或3，4-環氧環己基的倍半硅氧烷。

7.根據權利要求6所述的放熱構件用組合物，其中所述二官能以上的倍半硅氧烷為選自式(1)及式(2)分別所表示的化合物的群組中的化合物。

[化1]

[此處，R獨立地為碳數1～45的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基、或芳基烷基；在碳數1～45的烷基中，任意的氫可被氟取代，而且任意的-CH₂-可被-O-或-CH＝CH-取代；在芳基及芳基烷基中的苯環中，任意的氫可被鹵素或碳數1～10的烷基取代；在所述碳數1～10的烷基中，任意的氫可被氟取代，而且任意的-CH₂-可被-O-或-CH＝CH-取代；在芳基烷基中的亞烷基中，碳原子的數量為1～10，而且任意的-CH₂-可被-O-取代；而且，Y¹分別獨立地為式(a)所表示的基團。]

[化2]

[此處，X獨立地為環戊基、環己基、任意的氫可被氟取代，而且一個-CH₂-可被-O-取代的碳數1～10的烷基、任意的氫可被鹵素或碳數1～10的烷基取代的苯基、包含任意的氫可被鹵素或碳數1～10的烷基取代的苯基與碳數1～4的亞烷基的苯基烷基、或者具有氧雜環丙基、氧雜環丙烯基、琥珀酸酐、鄰苯二甲酸酐、或3，4-環氧環己基的基團；在作為苯基的取代基的碳數1～10的烷基中，任意的氫可被氟取代，而且任意的-CH₂-可被-O-取代；在苯基烷基的亞烷基中，一個-CH₂-可被-O-取代；而且，X的至少一者為具有氧雜環丙基、氧雜環丙烯基、琥珀酸酐、鄰苯二甲酸酐、或3，4-環氧環己基的基團。]

[化3]

[此處，R與式(1)中的R具有相同的含義，Y²為式(b)所表示的基團或式(c)所表示的基團。]

[化4]

[此處，在式(b)及式(c)的各式中，X與式(a)中的X具有相同的含義，而且式(c)中的Z為-O-、-CH₂-或單鍵。]