[發明專利]低熱膨脹構件用組合物、低熱膨脹構件、電子機器及低熱膨脹構件的制造方法

在審

• 申請號: 201780015287.7
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN108713042A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 藤原武;稲垣順一;上利泰幸;平野寛;門多丈治;岡田哲周
• 申請（專利權）人: 捷恩智株式會社;地方獨立行政法人大阪產業技術研究所
• 主分類號: C08L59/00
• 分類號: C08L59/00;C08K3/013;C08K7/14;C09K5/14
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 李艷;臧建明

1.一種低熱膨脹構件用組合物，其特征在于包含：

與第1偶合劑的一端鍵結的導熱性的第1無機填料；及

與第2偶合劑的一端鍵結的導熱性的第2無機填料；

通過硬化處理，所述第1無機填料與所述第2無機填料經由所述第1偶合劑與所述第2偶合劑而鍵結，

所述熱膨脹控制構件的熱膨脹率各不相同。

2.根據權利要求1所述的低熱膨脹構件用組合物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為選自由氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、二氧化硅、堇青石、氮化硅、及碳化硅所組成的群組中的至少一者。

3.根據權利要求1或2所述的低熱膨脹構件用組合物，其中所述第1偶合劑與所述第2偶合劑相同。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的低熱膨脹構件用組合物，其還包含具有與所述第1無機填料及所述第2無機填料不同的熱膨脹率的導熱性的第3無機填料。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的低熱膨脹構件用組合物，其還包含所述第1無機填料及所述第2無機填料所未鍵結的有機化合物、高分子化合物、或玻璃纖維。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的低熱膨脹構件用組合物，在所述第1偶合劑的另一端鍵結有二官能以上的聚合性化合物的一端，所述低熱膨脹構件用組合物的特征在于，

通過硬化處理，所述聚合性化合物的另一端鍵結于所述第2偶合劑的另一端。

7.根據權利要求6所述的低熱膨脹構件用組合物，其中所述二官能以上的聚合性化合物為下述式(1-1)所表示的至少一種聚合性液晶化合物；

R^a-Z-(A-Z)_m-R^a…(1-1)

[所述式(1-1)中，

R^a分別獨立地為能夠與第1偶合劑及第2偶合劑的另一端的官能基鍵結的官能基；

A為1，4-亞環己基、1，4-亞環己烯基、1，4-亞苯基、萘-2，6-二基、四氫萘-2，6-二基、芴-2，7-二基、雙環[2.2.2]辛-1，4-二基、或雙環[3.1.0]己-3，6-二基，

所述環上，任意的-CH₂-可被-O-取代，任意的-CH＝可被-N＝取代，任意的氫可被鹵素、碳數1～10的烷基、或碳數1～10的鹵化烷基取代，

所述烷基中，任意的-CH₂-可被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-、或-C≡C-取代；

Z分別獨立地為單鍵、或碳數1～20的亞烷基，

所述亞烷基中，任意的-CH₂-可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-N(O)＝N-、或-C≡C-取代，任意的氫可被鹵素取代；

m為1～6的整數]。

8.根據權利要求7所述的低熱膨脹構件用組合物，其中所述式(1-1)中，A為1，4-亞環己基、任意的氫被鹵素取代的1，4-亞環己基、1，4-亞苯基、任意的氫被鹵素或甲基取代的1，4-亞苯基、芴-2，7-二基、或任意的氫被鹵素或甲基取代的芴-2，7-二基。