[發明專利]具有改善粒子性能的晶片接觸表面突部輪廓

有效

• 申請號: 201780015129.1
• 申請日: 2017-02-02
• 公開（公告）號: CN108780773B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 林奕寬;C·瓦爾德弗里德;J·M·格拉斯科歐
• 申請（專利權）人: 恩特格里斯公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 顧晨昕

1.一種靜電吸盤，其包括：

電極，其在陶瓷基座中；及

所述靜電吸盤的表面層，其由所述電極中的電壓激活以形成將襯底靜電地夾箝到所述靜電吸盤的電荷；其中

所述靜電吸盤的所述表面層包括多個突部，所述突部包括形態是柱形或粒狀且微結構是結晶或非晶的成分，所述突部延伸到高于圍繞所述突部的所述表面層的平均高度H，在所述襯底的靜電夾箝期間所述突部將所述襯底支撐在所述突部上；

所述突部的橫截面具有通過非弧形平臺狀頂表面、邊緣表面及側表面來特性化的結構；其中所述突部的所述非弧形平臺狀頂表面具有以微米計的長度L、通過以微米計的平坦度參數Δ來特性化，所述頂表面具有1微米或更小的表面粗糙度R_a及小于±0.01的(Δ*100)/L值；

所述突部的所述邊緣表面是在所述突部的所述頂表面與所述側表面之間且具有位于橢圓的象限或其部分上或內的邊緣表面輪廓，所述橢圓的短軸Y與所述突部的所述頂表面的部分相交，其中所述(Δ*100)/L值等于或大于±0.01，且所述橢圓的短軸頂端沿所述突部的所述頂表面放置，Y/2值是0.5微米或更小；

所述橢圓的長軸X基本上平行于所述突部的所述頂表面或所述表面層，且X/2值是在25微米與250微米之間；且

所述突部的所述側表面連接所述靜電吸盤的所述邊緣表面及所述表面層。

2.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述突部側表面與所述表面層成角，其中所述角是在80度與175度之間。

3.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其進一步包括氣體密封環或提升銷密封件，所述氣體密封環或所述提升銷密封件延伸到高于所述表面層的平均高度H；其中

所述氣體密封環或所述提升銷密封件的橫截面具有通過非弧形平臺狀頂表面、邊緣表面及側表面來特性化的結構；其中所述氣體密封環或所述提升銷密封件的所述非弧形平臺狀頂表面具有以微米計的長度L、通過以微米計的平坦度參數Δ來特性化，所述頂表面具有1微米或更小的表面粗糙度R_a及小于±0.01的(Δ*100)/L值；

所述氣體密封環或所述提升銷密封件的所述邊緣表面是在所述氣體密封環或所述提升銷密封件的所述頂表面與所述側表面之間且具有位于橢圓的象限或其部分上或內的邊緣表面輪廓，所述橢圓的短軸Y與所述氣體密封環或所述提升銷密封件的所述頂表面的部分相交，其中所述(Δ*100)/L值等于或大于±0.01，且所述橢圓的短軸頂端沿所述氣體密封環或所述提升銷密封件的所述頂表面放置，Y/2值是0.5微米或更小；

所述橢圓的長軸X基本上平行于所述氣體密封環或所述提升銷密封件的所述頂表面，且X/2值是在25微米與250微米之間；且

所述氣體密封環或所述提升銷密封件的所述側表面連接所述邊緣表面及所述表面層。

4.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述突部包括釔、鋁或鋁及氧。

5.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述突部具有在5微米到20微米的范圍內的高度。

6.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中Δ具有在0.25微米與0.05微米之間的值。

7.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述突部具有在1微米與20微米之間的中心間距離。

8.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述突部包括覆蓋陶瓷的涂層。

9.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述突部包括具有如由掃描電子顯微法確定的柱形形態的成分。

10.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述突部包括具有如由x射線衍射測量的結晶形態的成分。