[發明專利]有源矩陣基板以及具備有源矩陣基板的液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201780014805.3
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN108713225B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 吉田德生;渡部卓哉;田川晶;巖瀨泰章;原健吾
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G02F1/1368;G09F9/30;G09G3/20;H01L29/786
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;劉寧軍

1.一種有源矩陣基板，具備：基板；多個柵極總線和多個源極總線，其形成在上述基板上；以及柵極驅動器，其形成在上述基板上，驅動上述多個柵極總線，

上述有源矩陣基板的特征在于，

上述柵極驅動器包含多級移位寄存器，上述多級移位寄存器分別具有：多個氧化物半導體TFT，其形成在上述基板上；第1輸入端子，其接收置位信號；第2輸入端子，其接收時鐘信號；第3輸入端子，其接收清除信號；以及輸出端子，其向多個柵極總線中的1個柵極總線輸出柵極輸出信號，上述時鐘信號和上述清除信號的高電平側的電位相同，并且，上述時鐘信號和上述清除信號的低電平側的電位也相同，

上述多個氧化物半導體TFT包含至少1個背柵結構TFT，上述背柵結構TFT具有：氧化物半導體層；主柵極電極；源極和漏極電極；以及背柵極電極，其隔著上述氧化物半導體層與上述主柵極電極相對，

上述至少1個背柵結構TFT包含第1TFT，上述第1TFT的上述主柵極電極連接于上述第3輸入端子，

上述第1TFT的上述背柵極電極的電位被設定為正側電源電壓VDD或接地電位GND，

上述第1TFT為清除晶體管，

上述多個氧化物半導體TFT還包含：第2TFT，其漏極電極和源極電極中的一方連接于上述第2輸入端子，另一方連接于上述輸出端子；以及第3TFT，其柵極電極連接于上述第1輸入端子。

2.一種有源矩陣基板，具備：基板；多個柵極總線和多個源極總線，其形成在上述基板上；以及柵極驅動器，其形成在上述基板上，驅動上述多個柵極總線，

上述有源矩陣基板的特征在于，

上述柵極驅動器包含多級移位寄存器，上述多級移位寄存器分別具有形成在上述基板上的多個氧化物半導體TFT，

上述多個氧化物半導體TFT包含至少1個背柵結構TFT，上述背柵結構TFT具有：氧化物半導體層；主柵極電極；源極和漏極電極；以及背柵極電極，其隔著上述氧化物半導體層與上述主柵極電極相對，

上述至少1個背柵結構TFT包含第1TFT，上述第1TFT的上述主柵極電極連接于負側電源電壓VSS，

上述第1TFT的上述背柵極電極的電位被設定為正側電源電壓VDD或接地電位GND，

上述有源矩陣基板還具備覆蓋上述第1TFT的絕緣層，

上述絕緣層具有包含無機絕緣層和形成在上述無機絕緣層上的有機絕緣層的層疊結構，

上述有機絕緣層具有使上述無機絕緣層的一部分露出的開口部，上述開口部與上述第1TFT的上述氧化物半導體層的溝道區域的至少一部分重疊，

上述背柵極電極配置在上述開口部內，

上述第1TFT具有代替清除晶體管的作用。

3.一種有源矩陣基板，具備：基板；多個柵極總線和多個源極總線，其形成在上述基板上；以及柵極驅動器，其形成在上述基板上，驅動上述多個柵極總線，

上述有源矩陣基板的特征在于，

上述柵極驅動器包含多級移位寄存器，上述多級移位寄存器分別具有形成在上述基板上的多個氧化物半導體TFT，

上述多個氧化物半導體TFT包含至少1個背柵結構TFT，上述背柵結構TFT具有：氧化物半導體層；主柵極電極；源極和漏極電極；以及背柵極電極，其隔著上述氧化物半導體層與上述主柵極電極相對，

上述至少1個背柵結構TFT包含第1TFT，上述第1TFT的上述主柵極電極連接于負側電源電壓VSS，

上述第1TFT的上述背柵極電極的電位被設定為正側電源電壓VDD或接地電位GND，

上述背柵極電極經由電阻和電容器連接于上述正側電源電壓VDD或上述接地電位GND，

上述第1TFT具有代替清除晶體管的作用。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的有源矩陣基板，

上述多個氧化物半導體TFT包含至少1個不具有背柵極的單柵極結構TFT。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的有源矩陣基板，

具有多個像素區域，上述多個像素區域分別具有：像素TFT，其形成在上述基板上；以及像素電極，其與上述像素TFT的漏極電極電連接，上述像素TFT的源極電極連接于上述多個源極總線中的1個源極總線，上述像素TFT的柵極電極連接于上述多個柵極總線中的1個柵極總線。