[發明專利]薄膜晶體管基板和顯示面板

在審

• 申請號: 201780014801.5
• 申請日: 2017-02-28
• 公開（公告）號: CN108780619A
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 岡田訓明;內田誠一;上田直樹;佐佐木貴啟
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;張艷鳳

1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，具備：

配線；

薄膜晶體管，其具有多個電極；以及

配線連接部，其至少一部分構成多個上述電極中的任一電極，且其連接到上述配線，包括透光性導電材料。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，

具備：第1透明電極，其連接到上述薄膜晶體管的多個上述電極中的任一電極，包括第1透明電極膜；以及第2透明電極，其包括隔著層間絕緣膜與上述第1透明電極膜重疊的第2透明電極膜，與上述第1透明電極之間能形成靜電電容或電場，

上述配線連接部包括上述第1透明電極膜或上述第2透明電極膜。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，

上述薄膜晶體管是具有包括半導體膜的溝道部并且多個上述電極中包含源極電極和漏極電極的構成，上述源極電極是上述配線連接部的至少一部分，連接到上述溝道部的一端側，上述漏極電極連接到上述溝道部的另一端側，

上述漏極電極包括上述第1透明電極膜和上述第2透明電極膜中的與上述配線連接部相同的透明電極膜。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，

上述薄膜晶體管是具有包括氧化物半導體膜的溝道部并且多個上述電極中包含源極電極和漏極電極的構成，上述源極電極是上述配線連接部的至少一部分，連接到上述溝道部的一端側，上述漏極電極連接到上述溝道部的另一端側，

上述漏極電極包括使上述氧化物半導體膜局部地低電阻化而成的低電阻化區域。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管基板，

上述第1透明電極是一部分與上述配線連接部重疊的像素電極，而上述第2透明電極是與上述像素電極之間形成靜電電容并保持充電到上述像素電極的電位的輔助電容電極，

上述配線連接部包括上述第2透明電極膜。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，

上述薄膜晶體管是具有包括氧化物半導體膜的溝道部并且多個上述電極中包含源極電極和漏極電極的構成，上述源極電極是上述配線連接部的至少一部分，連接到上述溝道部的一端側，上述漏極電極連接到上述溝道部的另一端側，

上述配線連接部包括使上述氧化物半導體膜局部地低電阻化而成的低電阻化區域。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管基板，

具備：第1透明電極，其連接到上述薄膜晶體管的上述漏極電極，包括第1透明電極膜；以及第2透明電極，其包括隔著層間絕緣膜與上述第1透明電極膜重疊的第2透明電極膜，與上述第1透明電極之間能形成靜電電容或電場，

上述漏極電極包括上述第1透明電極膜或上述第2透明電極膜。

8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管基板，

上述漏極電極包括使上述氧化物半導體膜局部地低電阻化而成的低電阻化區域。

9.根據權利要求1至權利要求8中的任一項所述的薄膜晶體管基板，

上述薄膜晶體管是具有包括半導體膜的溝道部并且多個上述電極中包含源極電極和漏極電極的構成，上述源極電極是上述配線連接部的至少一部分，連接到上述溝道部的一端側，上述漏極電極連接到上述溝道部的另一端側，

上述薄膜晶體管基板具備絕緣膜，上述絕緣膜配置在上述半導體膜的上層側，在與上述源極電極和上述漏極電極重疊的位置分別形成有開口部。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管基板，

具備多個像素，上述像素具有上述薄膜晶體管，上述多個像素至少沿著從上述配線朝向上述薄膜晶體管的上述配線連接部的延伸方向排列配置，

上述絕緣膜的與上述源極電極重疊的上述開口部以在橫跨上述延伸方向上相鄰的上述像素之間的范圍內延伸的方式形成。

11.一種顯示面板，其特征在于，

具備：權利要求1至權利要求10中的任一項所述的薄膜晶體管基板；以及與上述薄膜晶體管基板貼合的相對基板。