[發明專利]硅基板的研磨方法及研磨用組合物套組

在審

• 申請號: 201780014728.1
• 申請日: 2017-02-13
• 公開（公告）號: CN108713242A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 高見信一郎;川崎雄介
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種研磨方法，其為對硅基板進行研磨的方法，

所述方法包括：對于研磨對象的硅基板，在所述硅基板的研磨途中依次交替供給第1研磨漿料S₁及第2研磨漿料S₂，

所述第1研磨漿料S₁含有磨粒A₁及水溶性高分子P₁，

所述第1研磨漿料S₁的研磨效率高于所述第2研磨漿料S₂的研磨效率。

2.根據權利要求1所述的研磨方法，其中，所述第1研磨漿料S₁以0.001重量％以上的濃度包含所述水溶性高分子P₁。

3.根據權利要求1或2所述的研磨方法，其中，所述水溶性高分子P₁包含乙烯醇系聚合物鏈。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的研磨方法，其中，所述水溶性高分子P₁包含N-乙烯基系聚合物鏈。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的研磨方法，其中，所述第1研磨漿料S₁包含堿金屬氫氧化物作為堿性化合物B₁。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的研磨方法，其中，所述磨粒A₁的BET直徑小于60nm。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的研磨方法，其中，所述第2研磨漿料S₂含有磨粒A₂及水溶性高分子P₂，

所述第2研磨漿料S₂中的所述水溶性高分子P₂的濃度高于所述第1研磨漿料S₁中的所述水溶性高分子P₁的濃度。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的研磨方法，其中，所述第2研磨漿料S₂含有磨粒A₂，

所述第2研磨漿料S₂中的所述磨粒A₂的含量為0.5重量％以下。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的研磨方法，其共通地應用于電阻率為1Ω·cm以上的硅基板和電阻率小于0.005Ω·cm的硅基板。

10.一種研磨用組合物，其是權利要求1～9中任一項所述的研磨方法中使用的研磨用組合物，

且為所述第1研磨漿料S₁或其濃縮液。

11.一種研磨用組合物，其是權利要求1～9中任一項所述的研磨方法中使用的研磨用組合物，

且為所述第2研磨漿料S₂或其濃縮液。

12.一種研磨用組合物套組，其是權利要求1～9中任一項所述的研磨方法中使用的研磨用組合物套組，且包含：

為所述第1研磨漿料S₁或其濃縮液的第1組合物Q₁、和

為所述第2研磨漿料S₂或其濃縮液的第2組合物Q₂，

所述第1組合物Q₁與所述第2組合物Q₂彼此分開保管。