[發明專利]由碳化硅構成的半導體基板及其制造方法有效
| 申請號： | 201780014638.2 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN108699726B | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發明（設計）人： | 杉山尚宏 | 申請（專利權）人： | 株式會社電裝 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 構成 半導體 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體基板，其具有：
由碳化硅單晶構成且包含氫的碳化硅基板(1)、和
形成于所述碳化硅基板上且包含氫的外延膜(2)，
所述外延膜的氫濃度相對于所述碳化硅基板的氫濃度的濃度比被設定為0.2～5，
所述碳化硅基板的氫濃度為2×1018～5×1019atom/cm3。
2.根據權利要求1所述的半導體基板，其中，所述外延膜的氫濃度相對于所述碳化硅基板的氫濃度的濃度比被設定為0.5～2。
3.一種半導體基板的制造方法，其包括下述工序：
利用由含Si氣體和含C氣體來合成碳化硅的氣體生長法，通過使用氫作為載氣而形成含有氫的碳化硅單晶，利用該碳化硅單晶來制造碳化硅基板(1)；
在所述碳化硅基板上，通過使用氫作為載氣而形成包含氫的外延膜(2)，
在制造所述碳化硅基板的工序及形成所述外延膜的工序中，將所述外延膜的氫濃度相對于所述碳化硅基板的氫濃度的濃度比設定為0.2～5，
在制造所述碳化硅基板的工序中，將所述碳化硅基板的氫濃度設定為2×1018～5×1019atom/cm3。
4.根據權利要求3所述的半導體基板的制造方法，其中，在制造所述碳化硅基板的工序及形成所述外延膜的工序中，將所述外延膜的氫濃度相對于所述碳化硅基板的氫濃度的濃度比設定為0.5～2。
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