[發明專利]半導體裝置、該半導體裝置的制造方法以及包括該半導體裝置的顯示裝置有效
| 申請號： | 201780014556.8 | 申請日： | 2017-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN108780818B | 公開（公告）日： | 2023-01-31 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;肥塚純一;岡崎健一;中澤安孝 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H05B33/14 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 劉多益;葛臻翼 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 以及 包括 顯示裝置 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
柵電極；
所述柵電極上的絕緣膜；
所述絕緣膜上的氧化物半導體膜；以及
所述氧化物半導體膜上的一對電極，
其中，所述氧化物半導體膜包括：
第一氧化物半導體膜；
所述第一氧化物半導體膜上的第二氧化物半導體膜；以及
所述第二氧化物半導體膜上的第三氧化物半導體膜，
所述第一氧化物半導體膜、所述第二氧化物半導體膜及所述第三氧化物半導體膜包含相同的元素，
所述第一氧化物半導體膜的組成、所述第二氧化物半導體膜的組成及所述第三氧化物半導體膜的組成基本相同，
所述第三氧化物半導體膜的從所述一對電極露出的區域比所述第三氧化物半導體膜的被所述一對電極所覆蓋的區域薄，
所述第二氧化物半導體膜包括其結晶性比所述第一氧化物半導體膜和所述第三氧化物半導體膜中的一方或雙方低的區域，
并且，所述第二氧化物半導體膜是復合氧化物半導體，包括：
包含InaMbZncOd的第一區域；以及
包含InxZnyOz的第二區域，
所述第二區域的In濃度比所述第一區域的In濃度高，
所述M表示Al、Ga、Y或Sn，
所述a、b、c、d、x、y及z都表示任意數，
所述第一區域和所述第二區域設置在同一層中。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，
其中所述第一氧化物半導體膜、所述第二氧化物半導體膜及所述第三氧化物半導體膜都獨立地包含In、M和Zn，
并且所述M表示Al、Ga、Y或Sn。
3.一種半導體裝置，包括：
柵電極；
所述柵電極上的絕緣膜；
所述絕緣膜上的氧化物半導體膜；以及
所述氧化物半導體膜上的一對電極，
其中，所述氧化物半導體膜包括：
第一氧化物半導體膜；
所述第一氧化物半導體膜上的第二氧化物半導體膜；以及
所述第二氧化物半導體膜上的第三氧化物半導體膜，
所述第一氧化物半導體膜、所述第二氧化物半導體膜及所述第三氧化物半導體膜包含相同的元素，
所述第二氧化物半導體膜包括其結晶性比所述第一氧化物半導體膜和所述第三氧化物半導體膜中的一方或雙方低的區域，
并且，所述第二氧化物半導體膜是復合氧化物半導體，包括：
包含InaMbZncOd的第一區域；以及
包含InxZnyOz的第二區域，
所述第二區域的In濃度比所述第一區域的In濃度高，
所述M表示Al、Ga、Y或Sn，
所述a、b、c、d、x、y及z都表示任意數，
所述第一區域和所述第二區域相混。
4.根據權利要求1或3所述的半導體裝置，
其中所述第二氧化物半導體膜包括比所述第一氧化物半導體膜和所述第三氧化物半導體膜中的一方或雙方厚的區域。
5.根據權利要求1或3所述的半導體裝置，
其中所述第一氧化物半導體膜和所述第三氧化物半導體膜中的一方或雙方包括結晶部，
并且所述結晶部具有c軸取向性。
6.一種包括權利要求1或3所述的半導體裝置的顯示裝置，
其中所述顯示裝置包括顯示元件。
7.一種包括權利要求6所述的顯示裝置的顯示模塊，
其中所述顯示模塊包括觸摸傳感器。
8.一種包括權利要求7所述的顯示模塊的電子設備，
其中所述電子設備包括操作鍵和電池中的至少一個。
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