[發(fā)明專利]隧道磁阻效應(yīng)元件、磁存儲(chǔ)器及內(nèi)置型存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780014410.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-16
• 公開（公告）號(hào): CN109937475B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐佐木智生;田中美知
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H10B61/00
• 分類號(hào): H10B61/00;H10N50/10;H10N50/85
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種隧道磁阻效應(yīng)元件，其具備：

基底層，其設(shè)置于通路配線部的上表面上；磁隧道接合部，其設(shè)置于所述基底層的表面上；以及層間絕緣層，其覆蓋所述通路配線部及所述基底層的側(cè)面，

所述基底層具有應(yīng)力緩和部，

所述磁隧道接合部具有磁化方向被固定的參照層、磁化自由層、以及設(shè)置于所述參照層與所述磁化自由層之間的隧道勢(shì)壘層，

所述層間絕緣層包含絕緣材料，

所述應(yīng)力緩和部包含多個(gè)龜裂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隧道磁阻效應(yīng)元件，其中，

所述通路配線部的上表面的中央?yún)^(qū)域上的所述隧道勢(shì)壘層的下表面的高度和所述通路配線部的上表面的周邊區(qū)域上的所述隧道勢(shì)壘層的下表面的高度的差為2nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隧道磁阻效應(yīng)元件，其中，

所述基底層含有選自Nb-N、Ta-N、Ti-N、V-N及Zr-N的至少一種氮化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隧道磁阻效應(yīng)元件，其中，

所述基底層含有選自NaRh₂O₄、NaV₂O₄、RuO₂、SrRuO₂、ReO₃、及IrO₂中的至少一種氧化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隧道磁阻效應(yīng)元件，其中，

所述基底層具有氮氧化物，該氮氧化物含有選自Nb-N、Ta-N、Ti-N、V-N及Zr-N中的至少一種氮化物和選自NaRh₂O₄、NaV₂O₄、RuO₂、SrRuO₂、ReO₃、及IrO₂中的至少一種氧化物。

6.一種磁存儲(chǔ)器，其具備權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的隧道磁阻效應(yīng)元件作為存儲(chǔ)元件。

7.一種內(nèi)置型存儲(chǔ)器，其具備權(quán)利要求6所述的磁存儲(chǔ)器。

8.一種隧道磁阻效應(yīng)元件，其具備：

基底層，其設(shè)置于通路配線部的上表面上；磁隧道接合部，其設(shè)置于所述基底層的表面上；以及層間絕緣層，其覆蓋所述通路配線部及所述基底層的側(cè)面，

所述基底層具有應(yīng)力緩和部，

所述磁隧道接合部具有磁化方向被固定的參照層、磁化自由層、以及設(shè)置于所述參照層與所述磁化自由層之間的隧道勢(shì)壘層，

所述層間絕緣層包含絕緣材料，

所述基底層在所述通路配線部的所述上表面的周邊區(qū)域上具有比所述通路配線部的所述上表面的中央?yún)^(qū)域上更大的厚度，

所述基底層在所述通路配線部的所述上表面的所述周邊區(qū)域上具有所述應(yīng)力緩和部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的隧道磁阻效應(yīng)元件，其中，

當(dāng)將所述基底層的寬度設(shè)為WU，且將所述通路配線部的所述上表面的所述周邊區(qū)域上的所述基底層的厚度設(shè)為TE時(shí)，所述基底層具有滿足式（1）的寬度WU，

WU＞16.4×TE…（1）。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的隧道磁阻效應(yīng)元件，其中，

所述通路配線部的上表面的中央?yún)^(qū)域上的所述隧道勢(shì)壘層的下表面的高度和所述通路配線部的上表面的周邊區(qū)域上的所述隧道勢(shì)壘層的下表面的高度的差為2nm以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的隧道磁阻效應(yīng)元件，其中，

所述基底層含有選自Nb-N、Ta-N、Ti-N、V-N及Zr-N的至少一種氮化物。