[發(fā)明專利]用于形成存儲器鰭片圖案的方法和系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780014213.1
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN108701588B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜浩英;安東·德維利耶
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/768;G03F7/00;H01L21/3213
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高巖;楊林森

1.一種用于使基板圖案化的方法，所述方法包括：

在基板上的記憶層上方形成多線層，所述多線層包括具有三種材料的交替線圖案的區(qū)域，所述三種材料由于相對于彼此具有不同抗蝕刻性而彼此化學(xué)上不同，所述三種材料包括材料A、材料B和材料C，所述三種材料的所述交替線圖案包括A-B-C-B-A-B-C-B的重復(fù)序列，其中，所述材料在平行于所述基板的工作表面的方向上交替，每條材料線從所述多線層的頂表面延伸至所述多線層的底表面；

在所述多線層上方形成第一蝕刻掩模，所述第一蝕刻掩模限定顯露所述多線層的第一部分的第一溝槽，使得所限定的第一溝槽與所述交替線圖案中的多條線在高度上交叉；

利用所述第一蝕刻掩模蝕刻穿過所述材料A的顯露部分和所述記憶層的位于所述材料A的所述顯露部分正下方的部分；

在所述多線層上方形成第二蝕刻掩模，所述第二蝕刻掩模限定顯露所述多線層的第二部分的第二溝槽，使得所限定的第二溝槽與所述交替線圖案中的多條線在高度上交叉；

利用所述第二蝕刻掩模蝕刻穿過所述材料C的顯露部分和所述記憶層的位于所述材料C的所述顯露部分正下方的部分；以及

在所述多線層被顯露的同時蝕刻穿過所述材料B和所述記憶層的位于所述材料B正下方的部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在完成基于蝕刻穿過所述材料A、所述材料B和所述材料C的蝕刻轉(zhuǎn)移之后去除所述記憶層上方的剩余材料，所述記憶層產(chǎn)生具有平行線段陣列的浮雕圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述平行線段陣列的平行線段的間距小于40納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述記憶層中創(chuàng)建線之前在所述記憶層中創(chuàng)建線切口，以及其中，所述記憶層包括硬掩模材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述多線層中的一條或更多條線通過自對準雙圖案化或自對準四圖案化形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

將具有所述平行線段陣列的所述浮雕圖案轉(zhuǎn)移至下層中，使得在所述下層中創(chuàng)建鰭片陣列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻穿過所述材料B發(fā)生在蝕刻穿過所述材料A以及蝕刻穿過所述材料C之后。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻穿過所述材料B發(fā)生在蝕刻穿過所述材料A以及蝕刻穿過所述材料C之前。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在形成所述第一蝕刻掩模以及形成所述第二蝕刻掩模之前在所述多線層上方形成硬掩模層；以及

利用所述第一蝕刻掩模和所述第二蝕刻掩模蝕刻穿過所述硬掩模層的對應(yīng)部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一蝕刻掩模包括在所述基板上沉積輻射敏感材料，以及在光刻曝光之后使所述輻射敏感材料顯影。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第二蝕刻掩模包括在所述基板上沉積第二輻射敏感材料，以及在光刻曝光之后使所述第二輻射敏感材料顯影；以及

所述方法還包括：在沉積所述第二輻射敏感材料之前并且在蝕刻穿過所述材料A的所述顯露部分和所述記憶層的位于所述材料A的所述顯露部分正下方的部分之后，使用所述材料C填充所述記憶層和所述多線層中的開口。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：在蝕刻穿過所述材料B和所述記憶層的位于所述材料B正下方的部分之前，填充所述記憶層和所述多線層中的開口。