[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法及程序記錄介質在審
| 申請號: | 201780014125.1 | 申請日: | 2017-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN108701607A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 沖田展彬;筱原敬 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;G03F1/82 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板 基板保持 旋轉機構 主面 基板處理裝置 刷子 鄰接區域 噴嘴 處理液 抵接 噴出 程序記錄介質 抵接區域 基板處理 水平姿勢 旋轉軸線 鄰接 鉛垂 清洗 | ||
基板處理裝置(1),其中,包含:基板保持旋轉機構(41),其將基板(W)保持為水平姿勢,且使上述基板(W)圍繞通過上述基板(W)的主面的鉛垂的旋轉軸線(AX)旋轉;刷子(30),其抵接于由上述基板保持旋轉機構保持的上述基板(W)的上述主面并對上述基板(W)的上述主面進行清洗;第一噴嘴(10),其向由上述基板保持旋轉機構保持的上述基板(W)的上述主面噴出處理液;以及第二噴嘴(20),其向由上述基板保持旋轉機構保持的上述基板(W)的上述主面中的下游鄰接區域(DR)噴出處理液,上述下游鄰接區域(DR)從上述基板(W)的旋轉方向的下游側鄰接于上述刷子(30)抵接于上述基板(W)的上述主面的抵接區域(AR)。
技術領域
本發明涉及一種用于對處理對象的基板使用處理液實施處理的基板處理裝置、基板處理方法及程序記錄介質。處理對象的基板包含半導體晶圓、液晶顯示設備用玻璃基板、等離子顯示器用玻璃基板、光掩模用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板等各種基板。
背景技術
基板的處理步驟中包括對基板的主面進行清洗的步驟。在對基板的主面進行清洗的步驟中,例如通過噴出處理液的噴嘴向基板的主面供給處理液。在僅通過處理液的供給無法充分清洗基板的主面的情形下,進行通過刷子對基板的主面進行清洗的刷子清洗步驟。
根據經驗已知:在刷子清洗步驟中,通過刷子對基板的主面的污垢等施加的作用與處理液對基板的主面的污垢等施加的作用相互配合,有效地清洗基板的主面。
刷子清洗步驟可在單張型清洗裝置中實施。在單張型清洗裝置中,在向以水平姿勢旋轉的基板的主面供給處理液的狀態下,通過刷子清洗該基板的主面。執行此種處理的結構的基板處理裝置的一例揭示于專利文獻1的圖12。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2009-123800號公報
發明內容
發明所要解決的問題
在刷子清洗步驟中存在如下情形:在基板的主面中的刷子周圍,形成未被處理液覆蓋的區域、或處理液的液膜的膜厚變小的區域(以下稱為“膜厚降低區域”)。
在刷子的周圍形成有膜厚降低區域的情形下,存在通過刷子去除的污垢未被排出至基板的外側而滯留于該膜厚降低區域內的情形。另外,在刷子的周圍形成有膜厚降低區域的情形下,會產生利用刷子去除的微粒等再次附著于基板的主面等的問題。
尤其是從基板的旋轉方向的上游側的區域流出的處理液由刷子的上游側的周緣阻擋。因此,在基板的主面中的較刷子更靠下游側的區域中,處理液的液膜的膜厚變小,結果容易產生上述問題。
鑒于以上情況,處理液的液膜在基板的主面、尤其在刷子周圍,必須保持可抑制膜厚降低區域的形成的程度的規定的厚度。
因此,本發明的一個目的在于:在較基板的主面的刷子更靠基板的旋轉方向的下游側的區域,抑制處理液的斷液或處理液的液膜的膜厚的降低。
解決問題的技術方案
本發明提供一種基板處理裝置1,其中,包括:基板保持旋轉機構(41),其將基板(W)保持為水平姿勢,且使上述基板W圍繞通過上述基板W的主面的鉛垂的旋轉軸線AX旋轉;第一噴嘴10,其向由上述基板保持旋轉機構保持的上述基板W的上述主面噴出處理液;刷子30,其抵接于由上述基板保持旋轉機構保持的上述基板W的上述主面并對上述基板W的上述主面進行清洗;以及第二噴嘴20,其向由上述基板保持旋轉機構保持的上述基板W的上述主面中的下游鄰接區域DR噴出處理液,上述下游鄰接區域DR從上述基板W的旋轉方向的下游側鄰接于上述刷子30抵接于上述基板W的上述主面的抵接區域AR。
另外,括號內的英文數字表示下述實施方式中的對應結構組件等,并非意在將專利權利要求書限定于實施方式。以下均與本項相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





