[發明專利]一種雙頻天線

有效

• 申請號: 201780014019.3
• 申請日: 2017-01-22
• 公開（公告）號: CN108701900B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 羅昕;林紅勇;郭智力
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01Q5/55
• 分類號: H01Q5/55;H01Q5/47;H01Q13/06;H01Q19/19;H01Q19/10
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1.一種同軸雙頻天線，其特征在于，包括：波導管，環形槽，高頻饋源和介質環，

所述波導管為筒形結構，用于傳輸第一電磁波，所述波導管的管壁具有開口方向與所述第一電磁波的輸出方向相同的環形槽，其中，所述第一電磁波的頻率低于所述高頻饋源發出的電磁波的頻率；

所述高頻饋源位于所述波導管中，與所述波導管同軸，其中，所述第一電磁波在所述波導管中激發橫電模TE₁₁；

所述介質環填充在所述波導管和所述高頻饋源之間，所述介質環為多層結構，與所述波導管同軸，各層介質環的垂直于所述軸的平面的面積大小呈交替變化，其中，所述介質環的高度小于所述波導管的高度，所述介質環的相鄰兩層中有一層的外壁與所述波導管的內壁相連，且所述一層的內壁與所述高頻饋源的外壁相連。

2.根據權利要求1所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述高頻饋源的高度與所述波導管的高度相同。

3.根據權利要求1所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述波導管內壁的半徑和高頻饋源外壁的半徑之和大于所述第一電磁波波長的1/π，上述兩個半徑之差小于所述第一電磁波波長的1/2。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述環形槽的半徑與所述波導管內壁的半徑之差為所述第一電磁波波長的1/8。

5.根據權利要求4所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述環形槽的深度在所述第一電磁波波長的1/5至1/4之間，寬度為所述第一電磁波波長的1/8。

6.根據權利要求1-3或5任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，與所述波導管的輸出平面距離最遠的那層介質環不同時與所述波導管和所述高頻饋源相連。

7.根據權利要求1-3或5任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，每層介質環的高度為所述第一電磁波波長的1/4。

8.根據權利要求1-3或5任一項所述的同軸雙頻天線，其特征在于，所述介質環的相對介電常數在2至4之間。

9.一種雙頻拋物面天線，其特征在于，所述雙頻拋物面天線包括：主反射面、副反射面和如權利要求1-8任一項所述的同軸雙頻天線。