[發明專利]基板處理方法及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201780013897.3 | 申請日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN108701604B | 公開(公告)日: | 2022-12-16 |
| 發明(設計)人: | 中井仁司;金松泰范;安藤幸嗣;巖田智巳 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,其中,該基板處理方法用于基板處理裝置,該基板處理裝置具備:外側杯部,其圍繞于在一個主表面形成有圖案的基板的周圍;及內側杯部,其配置于上述外側杯部的內側;該基板處理方法具備:
a)步驟,在將上述內側杯部的上端配置于較上述外側杯部的上端更靠下方的位置的第一狀態下,朝通過基板旋轉機構旋轉的上述基板的朝向上方的上述主表面供給純水,并由上述外側杯部的內側面接收從上述主表面飛散的上述純水;
b)步驟,在上述第一狀態下,朝旋轉的上述基板的上述主表面供給將規定的有機溶劑與純水混合而成的混合液,并由上述外側杯部的上述內側面接收從上述主表面飛散的上述混合液;
c)步驟,在上述第一狀態下,朝旋轉的上述基板的上述主表面供給上述有機溶劑,并通過上述外側杯部的上述內側面接收從上述主表面飛散的上述有機溶劑;
d)步驟,一面在上述主表面上保持覆蓋上述主表面的上述有機溶劑的液膜,一面通過使上述內側杯部相對于上述基板上升來形成使上述內側杯部的內側面配置于上述基板的周圍的第二狀態;以及
e)步驟,在上述第二狀態下,通過朝上述主表面供給比重較上述有機溶劑大且與純水混合會變成膠狀的填充材料溶液,在上述主表面上填充上述填充材料溶液。
2.根據權利要求1所述的基板處理方法,其中,
上述基板處理裝置還具備與上述主表面相對的噴嘴,
從上述噴嘴噴出上述a)步驟中的上述純水、上述b)步驟中的上述混合液、及上述c)步驟中的上述有機溶劑。
3.根據權利要求2所述的基板處理方法,其中,
在上述b)步驟中使上述混合液中的上述有機溶劑的濃度逐漸升高。
4.根據權利要求1所述的基板處理方法,其中,
從固定于較上述主表面更靠上方的規定位置的固定噴嘴至少噴出上述混合液,
與從上述固定噴嘴的噴出動作并行,使第一噴嘴從與上述主表面相對的位置朝從上述主表面的上方離開的待機位置移動,并且,使配置于從上述主表面的上方離開的另一待機位置的第二噴嘴,朝與上述主表面相對的位置移動,所述第一噴嘴利用于上述a)步驟的上述純水的供給、或較上述a)步驟更靠前的處理液的供給,
在上述c)步驟中從上述第二噴嘴噴出上述有機溶劑。
5.一種基板處理方法,其中,該基板處理方法用于基板處理裝置,該基板處理裝置具備:外側杯部,其圍繞于在一個主表面形成有圖案的基板的周圍;及內側杯部,其配置于上述外側杯部的內側;該基板處理方法具備:
a)步驟,在將上述內側杯部的上端配置于較上述外側杯部的上端更靠下方的位置的第一狀態下,從固定于較上述主表面更靠上方的規定位置的固定噴嘴,朝通過基板旋轉機構旋轉的上述基板的朝向上方的上述主表面連續地供給純水,并由上述外側杯部的內側面接收從上述主表面飛散的上述純水;
b)步驟,與上述a)步驟并行,使利用于較上述a)步驟更靠前的處理液的供給的第一噴嘴,從與上述主表面相對的位置朝從上述主表面的上方離開的待機位置移動,并且,使配置于從上述主表面的上方離開的另一待機位置的第二噴嘴,朝與上述主表面相對的位置移動;
c)步驟,在上述第一狀態下,從上述第二噴嘴朝旋轉的上述基板的上述主表面供給規定的有機溶劑,并由上述外側杯部的上述內側面接收從上述主表面飛散的上述有機溶劑;
d)步驟,一面在上述主表面上保持覆蓋上述主表面的上述有機溶劑的液膜,一面通過使上述內側杯部相對于上述基板上升來形成使上述內側杯部的內側面配置于上述基板的周圍的第二狀態;以及
e)步驟,在上述第二狀態下,通過朝上述主表面供給比重較上述有機溶劑大且與純水混合會變成膠狀的填充材料溶液,在上述主表面上填充上述填充材料溶液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





