[發明專利]用于玻璃-玻璃光伏模塊的導電互連結構在審
| 申請號: | 201780013672.8 | 申請日: | 2017-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN109302849A | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發明(設計)人: | 艾麗沙·班克尼;路易吉·瑪哈斯;布魯諾·布奇 | 申請(專利權)人: | 愛博福歐有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 意大利*** | 國省代碼: | 意大利;IT |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 導電互連 光伏模塊 下層 封裝材料 導電層 導電材料 上層 配置 應用 | ||
1.一種導電互連結構(10),其用于應用于玻璃-玻璃型的光伏模塊,所述導電互連結構(10)包括:
導電層(200),其包括導電材料的預定布局;
第一下層(100),其包括封裝材料;
第二上層(300),其包括封裝材料;
其中,所述導電層(200)配置于所述第一下層(100)與所述第二下層(300)之間。
2.根據權利要求1所述的導電結構,其特征在于,所述導電層(200)與所述第一下層(100)的封裝材料直接接觸。
3.根據權利要求1或2中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述導電層(200)與所述第二上層(300)的封裝材料直接接觸。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述第二上層(300)包括多個通孔(340),其中一個或多個所述通孔(340)位于所述導電材料的預定布局的導電區域。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述第一下層(100)包括配置于熱粘合材料層(130)與封裝材料層(110)之間的介電材料層(120)。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述第二上層(300)包括配置于熱粘合材料層(330)與封裝材料層(310)之間的介電材料層(320)。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述第一下層(100)的厚度(T1)比所述第二上層(300)的厚度(T2)大,例如其中所述第一下層(100)的厚度(T1)與所述第二上層(300)的厚度(T2)之間的比值在從1.5到2.5的范圍,優選地所述第一下層(100)的厚度(T1)與所述第二上層(300)的厚度(T2)之間的比值在從1.5到2.0的范圍,更優選地所述第一下層(100)的厚度(T1)與所述第二上層(300)的厚度(T2)之間的比值等于1.75。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述第一下層(100)的厚度(T1)被包括在從250微米到500微米的范圍,優選地所述第一下層(100)的厚度(T1)被包括在從300微米到400微米的范圍,更優選地所述第一下層(100)的厚度(T1)等于350微米。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述第二上層(300)的厚度(T2)被包括在從100微米到300微米的范圍,優選地所述第二上層(300)的厚度(T2)被包括在從150微米到250微米的范圍,更優選地所述第二上層(300)的厚度(T2)等于200微米。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的導電結構,其特征在于,所述導電材料的預定布局覆蓋所述第一下層(100)的表面的比例在所述第一下層(100)的總表面的5%到50%的范圍,優選地所述導電材料的預定布局覆蓋所述第一下層(100)的表面的比例在所述第一下層(100)的總表面的10%到15%的范圍。
11.根據權利要求1至10中任一項所述的導電結構,其特征在于,以卷軸的形式供給所述導電互連結構(10)。
12.根據權利要求1至10中任一項所述的導電結構,其特征在于,以片的形式供給所述導電互連結構(10)。
13.一種玻璃-玻璃型的光伏模塊(1000),其包括第一后玻璃層(600)、形成所述光伏模塊(1000)的主表面的第二上玻璃層(700)、多個太陽能電池(400)以及根據權利要求1至12中任一項所述的導電互連結構(10),其中所述太陽能電池(400)通過所述導電互連結構(10)與所述第一后玻璃層(600)聯接,并且所述太陽能電池(400)電連接至所述導電互連結構(10)的導電層(200)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于愛博福歐有限公司,未經愛博福歐有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780013672.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





