[發(fā)明專利]雜環(huán)化合物及包含其的有機(jī)電致發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780011570.2 | 申請日: | 2017-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN108699070B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金旼俊;全相映;樸胎潤;趙圣美 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社LG化學(xué) |
| 主分類號: | C07D487/04 | 分類號: | C07D487/04;C07D333/76;C07D307/91;C07D209/82;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雜環(huán)化合物 包含 有機(jī) 電致發(fā)光 元件 | ||
本說明書提供雜環(huán)化合物及包含其的有機(jī)電致發(fā)光元件。
技術(shù)領(lǐng)域
本說明書涉及雜環(huán)化合物及包含其的有機(jī)電致發(fā)光元件。
本說明書主張于2016年2月15日向韓國專利局提交的韓國專利申請第10-2016-0017264號的優(yōu)先權(quán),其內(nèi)容全部包含在本說明書中。
背景技術(shù)
電致發(fā)光元件是自發(fā)光型顯示元件的一種,具有視角寬、對比度優(yōu)異而且響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)。
有機(jī)發(fā)光元件具有在2個電極之間配置有機(jī)薄膜的結(jié)構(gòu)。當(dāng)向具有這種結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光元件施加電壓時,從2個電極注入的電子和空穴在有機(jī)薄膜中結(jié)合而成對后淬滅的同時發(fā)光。上述有機(jī)薄膜根據(jù)需要可以由單層或多層構(gòu)成。
有機(jī)薄膜的材料根據(jù)需要可以具有發(fā)光功能。例如,作為有機(jī)薄膜材料,還可以使用其本身可以單獨(dú)構(gòu)成發(fā)光層的化合物,或者也可以使用能夠起到主體-摻雜劑系發(fā)光層的主體或摻雜劑作用的化合物。除此以外,作為有機(jī)薄膜的材料,還可以使用能夠發(fā)揮空穴注入、空穴傳輸、電子阻擋、空穴阻擋、電子傳輸或電子注入等作用的化合物。
為了改善有機(jī)電致發(fā)光元件的性能、壽命或效率,持續(xù)要求開發(fā)有機(jī)薄膜的材料。
發(fā)明內(nèi)容
本說明書提供雜環(huán)化合物及包含其的有機(jī)電致發(fā)光元件。
本申請?zhí)峁┯上率龌瘜W(xué)式1表示的雜環(huán)化合物。
[化學(xué)式1]
上述化學(xué)式1中,Ar1和Ar2彼此相同或不同,各自獨(dú)立地為取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基,
L1至L3彼此相同或不同,各自獨(dú)立地為直接鍵合、取代或未取代的亞芳基、或者取代或未取代的2價的雜環(huán)基,
R1至R3彼此相同或不同,各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素基團(tuán)、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基,
a和c為0至3的整數(shù),b為0至4的整數(shù),a至c為2以上時括號內(nèi)的取代基相同或不同。
另外,本申請?zhí)峁┯袡C(jī)電致發(fā)光元件,其中,包含:第一電極、與上述第一電極對置而具備的第二電極、以及具備在上述第一電極與上述第二電極之間的1層以上的有機(jī)物層,上述有機(jī)物層中的1層以上包含上述的雜環(huán)化合物。
本申請的一個實施方式所涉及的雜環(huán)化合物用于有機(jī)電致發(fā)光元件,從而能夠降低有機(jī)電致發(fā)光元件的驅(qū)動電壓,提高光效率,利用化合物的熱穩(wěn)定性能夠提高元件的壽命特性。
附圖說明
圖1圖示了依次層疊有基板1、陽極2、發(fā)光層3、陰極4的有機(jī)電致發(fā)光元件的例子。
圖2圖示了依次層疊有基板1、陽極2、空穴注入層5、空穴傳輸層6、發(fā)光層3、電子傳輸層7和陰極4的有機(jī)電致發(fā)光元件的例子。
圖3是反應(yīng)式1的化學(xué)式1A的LC/MS譜圖。
圖4是合成例1的化合物1的LC/MS譜圖。
圖5是合成例2的化合物2的LC/MS譜圖。
圖6是合成例7的化合物7的LC/MS譜圖。
符號說明
1:基板
2:陽極
3:發(fā)光層
4:陰極
5:空穴注入層
6:空穴傳輸層
7:電子傳輸層
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社LG化學(xué),未經(jīng)株式會社LG化學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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