[發(fā)明專利]負(fù)載開(kāi)關(guān)中的柵極電容的控制

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780011260.0
• 申請(qǐng)日: 2017-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108604900B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·貝克;J·克拉倫貝克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號(hào): H03L5/00
• 分類號(hào): H03L5/00;H01L29/68
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙志剛;魏利娜

1.一種用于控制供電電源的開(kāi)關(guān)，所述開(kāi)關(guān)包括：

第一晶體管，其具有漏極、源極和柵極，所述漏極和所述源極耦合在V_IN和V_OUT之間；

電路，其耦合在所述第一晶體管的所述柵極和電容器端子之間，所述電路經(jīng)配置以：

響應(yīng)于使能信號(hào)而將所述電容器端子連接到所述第一晶體管的所述柵極以控制V_OUT處的電壓的上升時(shí)間；

響應(yīng)于所述柵極處的電壓達(dá)到大于V_IN處的電壓的特定電壓而將所述電容器端子與所述第一晶體管的所述柵極斷開(kāi)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)，其中所述電路包括：

第二晶體管，其具有分別耦合到所述第一晶體管的所述柵極和所述電容器端子的漏極和源極；

電源，其耦合到所述第二晶體管的柵極；和

第三晶體管，其具有耦合到所述第二晶體管的柵極的漏極，所述第三晶體管經(jīng)配置以響應(yīng)于休眠信號(hào)而將所述第二晶體管的所述柵極連接到低軌。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)，其中所述第三晶體管經(jīng)配置以響應(yīng)于所述休眠信號(hào)的鎖存版本而將所述第二晶體管的所述柵極連接到所述低軌。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的開(kāi)關(guān)，還包括：

第四晶體管，所述第四晶體管具有分別連接到所述電容器端子和所述低軌的漏極和源極；和

反相器，其具有輸入和輸出，所述反相器的所述輸入耦合到所述第二晶體管的所述柵極，并且所述反相器的所述輸出耦合到所述第四晶體管的柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開(kāi)關(guān)，其中所述電源經(jīng)配置以提供大于最高V_IN、所述第一晶體管的閾值電壓和所述第二晶體管的閾值電壓的組合的電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)，其中所述電容器端子的最大電壓是下述兩者中的較低者：由所述電源提供的電壓減去所述第一晶體管的閾值電壓和所述休眠信號(hào)導(dǎo)通時(shí)的所述第一晶體管的所述柵極處的電壓值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)，還包括：

耦合到所述第一晶體管的所述柵極的驅(qū)動(dòng)器；和

耦合到所述驅(qū)動(dòng)器以提供所述特定電壓的電荷泵。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)，其中所述特定電壓在所述第一晶體管兩端提供特定電阻。

9.一種操作根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的開(kāi)關(guān)的方法，所述方法包括：

響應(yīng)于ON引腳的狀態(tài)而將電容器連接到耦合在V_IN和V_OUT之間的晶體管的柵極；和

響應(yīng)于所述柵極處的電壓達(dá)到大于V_IN處的電壓的特定電壓而將所述電容器與所述柵極斷開(kāi)連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括將所述電容器連接到低軌。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述狀態(tài)是第一狀態(tài)；并且

其中所述方法還包括響應(yīng)于所述ON引腳的第二狀態(tài)而使所述晶體管的所述柵極放電。