[發(fā)明專利]安全半導(dǎo)體芯片及其工作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780010930.7 | 申請日： | 2017-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN108701192B | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高亨浩;崔秉德 | 申請（專利權(quán)）人： | 漢陽大學校產(chǎn)學協(xié)力團 |
| 主分類號： | G06F21/57 | 分類號： | G06F21/57;G06F21/55;G06F15/78 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 安全 半導(dǎo)體 芯片 及其 工作 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體芯片，包括：
至少一個數(shù)據(jù)總線，其傳輸通過所述半導(dǎo)體芯片處理的數(shù)據(jù)；
電位生成塊，其與所述至少一個數(shù)據(jù)總線一起封裝起來處于被封裝體切斷來自外部的光的狀態(tài)，檢測所述封裝體無法切斷所述來自外部的光的事件；以及
開關(guān)，其在檢測到所述事件的情況下切斷所述至少一個數(shù)據(jù)總線中至少一部分的數(shù)據(jù)的傳輸，
其中，所述電位生成塊包括：
至少一個光電二極管，其在暴露于所述來自外部的光的情況下發(fā)生電流；
電容器，其儲存通過所述電流的至少一部分發(fā)生的電荷；以及
下拉電阻，其使所述電荷從所述電容器放電，
利用通過所述下拉電阻放電所述電荷的過程中發(fā)生于所述下拉電阻的兩端的電位差接通所述開關(guān)，以使所述至少一個數(shù)據(jù)總線中的至少一部分數(shù)據(jù)接地放電以切斷所述傳輸，
所述下拉電阻是能夠通過設(shè)置對電阻值進行編程的有源元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，所述電位生成塊包括：
能量收集元件，其在暴露于所述來自外部的光的情況下利用所述光發(fā)生能量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中：
提高所述下拉電阻的設(shè)定值的情況下，接通所述開關(guān)所需的放電電流量減小，所述開關(guān)相對容易接通，降低所述下拉電阻的設(shè)定值的情況下，接通所述開關(guān)所需的放電電流量增大，所述開關(guān)相對難以接通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中：
所述至少一個光電二極管包括在至少一部分串聯(lián)的多個光電二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中：
所述至少一個光電二極管包括階層性地連接成樹結(jié)構(gòu)的多個光電二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中：
所述至少一個數(shù)據(jù)總線包括并列地分別傳輸數(shù)據(jù)的多個數(shù)據(jù)總線，所述多個數(shù)據(jù)總線共享(share)所述電位生成塊。
7.一種保護裝置，是嵌入到半導(dǎo)體芯片的封裝體內(nèi)的保護裝置，包括：
電位生成塊，其檢測所述封裝體無法切斷來自外部的光的事件；以及
開關(guān)，其在檢測到所述事件的情況下切斷所述半導(dǎo)體芯片內(nèi)的至少一部分數(shù)據(jù)傳輸路徑，
其中，所述電位生成塊包括：
至少一個光電二極管，其在暴露于所述來自外部的光的情況下發(fā)生電流；
電容器，其儲存通過所述電流的至少一部分發(fā)生的電荷；以及
下拉電阻，其使所述電荷從所述電容器放電，
利用通過所述下拉電阻放電所述電荷的過程中發(fā)生于所述下拉電阻的兩端的電位差接通所述開關(guān)，以使所述數(shù)據(jù)傳輸路徑中的至少一部分接地以切斷所述傳輸路徑，
所述下拉電阻是能夠通過設(shè)置對電阻值進行編程的有源元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的保護裝置，其中：
提高所述下拉電阻的設(shè)定值的情況下，接通所述開關(guān)所需的放電電流量減小，所述開關(guān)相對容易接通，降低所述下拉電阻的設(shè)定值的情況下，接通所述開關(guān)所需的放電電流量增大，所述開關(guān)相對難以接通。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的保護裝置，其中：
所述至少一個光電二極管包括階層性地連接成樹結(jié)構(gòu)的多個光電二極管。
10.一種感測方法，用于半導(dǎo)體芯片感測封裝體的損傷，包括：
所述封裝體損傷導(dǎo)致光從所述半導(dǎo)體芯片的封裝體外部滲透的情況下，以片裝模塊形態(tài)嵌入的電位生成塊使得下拉電阻的兩端發(fā)生電位差的步驟；以及
通過所述電位差使得所述半導(dǎo)體芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸路徑中至少一部分接地以切斷數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟襟E，
其中，所述電位生成塊包括：
至少一個光電二極管，其在暴露于來自外部的光的情況下發(fā)生電流；以及
電容器，其儲存通過所述電流的至少一部分發(fā)生的電荷，
所述下拉電阻使所述電荷從所述電容器放電，
利用通過所述下拉電阻放電所述電荷的過程中發(fā)生于所述下拉電阻的兩端的電位差接通開關(guān)，以使所述數(shù)據(jù)傳輸路徑中至少一部分數(shù)據(jù)接地放電以切斷所述數(shù)據(jù)傳輸，
所述下拉電阻是能夠通過設(shè)置對電阻值進行編程的有源元件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于漢陽大學校產(chǎn)學協(xié)力團，未經(jīng)漢陽大學校產(chǎn)學協(xié)力團許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780010930.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
