[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201780010885.5
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN108701614A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 井上由佳;福羅滿德;高橋信義;小田真弘;矢野尚;伊藤禮;森永泰規
• 申請（專利權）人: TOWERJAZZ松下半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/12;H01L23/522
• 代理公司: 北京煦潤律師事務所 11522
• 代理人: 梁永芳

1.一種半導體裝置，其特征在于：其包括襯底、第一層間膜、第一金屬布線、第二層間膜、第二金屬布線、第一通孔塞、著陸墊以及第二通孔塞，

所述襯底具有第一區域和第二區域，所述第一層間膜形成在所述襯底的上表面上，

在所述第一區域，所述第一金屬布線被埋入所述第一層間膜的上部內，

所述第二層間膜形成在所述第一層間膜上和所述第一金屬布線上，

在所述第一區域，所述第二金屬布線被埋入所述第二層間膜的上部內，

所述第一通孔塞貫穿所述第二層間膜，將所述第一金屬布線和所述第二金屬布線電連接起來，

在所述第二區域，所述著陸墊被埋入所述第一層間膜的上部內且貫穿所述第二層間膜，

在所述第二區域，所述第二通孔塞從所述襯底的背面一側貫穿所述襯底和所述第一層間膜且與所述著陸墊相連接，

所述著陸墊的下表面的位置與所述第一金屬布線的下表面的位置不同。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第一通孔塞和所述第二金屬布線由同一材料形成，

所述著陸墊具有金屬膜，該金屬膜從所述第一層間膜的上部形成到所述第二層間膜內且由與所述第一通孔塞和所述第二金屬布線相同的材料形成。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述著陸墊的下表面的位置比所述第一金屬布線的下表面的位置低，所述著陸墊的厚度比所述第一金屬布線的高度、所述第一通孔塞的高度以及所述第二金屬布線的高度之和還厚。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

該半導體裝置的制造方法包括以下工序：

第一層間膜和第一金屬布線形成工序，在該工序中，在具有第一區域和第二區域的襯底的上表面上形成第一層間膜，形成被埋入所述第一層間膜的上部內的第一金屬布線，

第二層間膜形成工序，在該工序中，在所述第一層間膜上和所述第一金屬布線上形成第二層間膜，

布線槽和第一通孔形成工序，在該工序中，在所述第一區域形成所述第二層間膜內的布線槽，在所述第一區域且所述第一金屬布線的上方形成貫通所述第二層間膜的第一通孔，

墊用凹部和墊用孔形成工序，在該工序中，在形成所述布線槽和所述第一通孔時，在所述第二區域且所述第一層間膜的上部形成墊用凹部，并且在所述第二區域形成貫通所述第二層間膜的墊用孔，

第一通孔塞、第二金屬布線以及著陸墊形成工序，在該工序中，通過將金屬埋入所述第一通孔、所述布線槽、所述墊用凹部以及所述墊用孔內而在所述第一通孔內形成第一通孔塞，并且在所述布線槽內形成第二金屬布線，且在所述墊用凹部和所述墊用孔內形成著陸墊，以及

第二通孔塞形成工序，在該工序中，在所述第二區域形成第二通孔塞，該第二通孔塞從所述襯底的背面一側貫穿所述襯底和所述第一層間膜且與所述著陸墊相連接。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在形成所述第一通孔的同時，形成所述墊用孔，

在形成所述布線槽的同時，形成所述墊用凹部的至少一部分。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

該半導體裝置的制造方法在形成所述第一金屬布線的工序之后且形成所述第二層間膜的工序之前還包括襯膜形成工序，在該襯膜形成工序中，在所述第一金屬布線上和所述第一層間膜上形成由絕緣材料形成的襯膜，

在形成所述第一通孔的同時，形成所述墊用孔，

在除去所述襯膜中與所述第一通孔相對應的部分的同時，在所述第二區域形成所述墊用凹部。

7.根據權利要求4～6中任一項權利要求所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述第一金屬布線的下表面的高度和所述著陸墊的下表面的高度彼此不同。

8.根據權利要求4～7中任一項權利要求所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在形成所述第一通孔的工序中，在所述第二區域內的所述第二層間膜上形成直徑比所述第一通孔塞大的第三通孔塞。