[發(fā)明專利]接收器模塊

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780010691.5
• 申請日: 2017-02-02
• 公開（公告）號: CN108701738A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·韋希特爾;D·富爾曼;W·古特;C·佩珀
• 申請（專利權(quán)）人: 阿聚爾斯佩西太陽能有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L31/167
• 分類號: H01L31/167;H01L31/0304
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

一種接收器模塊(EM)，其具有數(shù)量N個彼此串聯(lián)連接的、構(gòu)造成半導(dǎo)體二極管的部分電壓源，使得所述部分電壓源產(chǎn)生源電壓，并且所述部分電壓源中的每個具有帶有p?n結(jié)的半導(dǎo)體二極管，各個部分電壓源的部分源電壓彼此具有小于20％的偏差，分別在兩個彼此相繼的部分電壓源之間構(gòu)造有隧道二極管，并且所述部分電壓源的數(shù)量N大于等于2，在所述第一堆疊(ST1)上，光(L)在所述上側(cè)處照射到所述第一堆疊(ST1)的表面(OB)上，所述第一堆疊(ST1)在所述表面(OB)上具有第一電接通部并且在所述下側(cè)上具有第二電接通部，所述堆疊布置在半導(dǎo)體襯底上，并且所述半導(dǎo)體襯底與所述堆疊以及晶體管(T)單片地連接，其中，所述晶體管(T)的控制輸入端與所述兩個電接通部中的一個連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種接收器模塊。

背景技術(shù)

接收器模塊在光電耦合器中是充分已知的。簡單的光電耦合器具有發(fā)送器模塊和接收器模塊，其中，這兩個模塊是電隔離、但光耦合的。由US4 996 577已知這種實施方式。還由US 2006/0048811A1、US 8 350 208B1和WO 2013/067969A1已知光學(xué)構(gòu)件。由US 2011/0 005 570A1和DE 40 05835A1已知包括多重太陽能電池的接收器模塊。

此外，由US 4 127 862、US 6 239 354B1、DE 10 2010 001 420A1、NaderM.Kalkhoran等人的《Cobalt disilicide intercell ohmic contacts formultijunction photovoltaic energy converters》(Appl.Phys.Lett.64，1980(1994))和A.Bett等人的《III-V Solar cells under monochromatic illumination》(光伏專家會議，2008年，PVSC'08，第33屆IEEE，第1-5頁，ISBN：978-l-4244-1640-0)已知可縮放的電壓源或由III-V族材料構(gòu)成的太陽能電池。

發(fā)明內(nèi)容

在該背景下，本發(fā)明的任務(wù)在于說明一種擴(kuò)展現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備。

該任務(wù)通過具有權(quán)利要求1的特征的接收器模塊解決。本發(fā)明的有利構(gòu)型是從屬權(quán)利要求的主題。

在本發(fā)明的主題中，提供一種接收器模塊，該接收器模塊具有數(shù)量N個彼此串聯(lián)連接的、構(gòu)造成半導(dǎo)體二極管的部分電壓源，使得數(shù)量N個部分電壓源產(chǎn)生源電壓。

部分電壓源中的每個具有帶有pn結(jié)的半導(dǎo)體二極管，其中，半導(dǎo)體二極管具有p摻雜的吸收層。p型吸收層由p摻雜的鈍化層鈍化，該鈍化層具有比p型吸收層的帶隙更大的帶隙。

半導(dǎo)體二極管具有n型吸收層，其中，n型吸收層由n摻雜的鈍化層鈍化，該鈍化層具有比n型吸收層的帶隙更大的帶隙。

各個部分電壓源的部分源電壓彼此具有小于20％的偏差。分別在兩個彼此相繼的部分電壓源之間構(gòu)造有隧道二極管，其中，部分電壓源與隧道二極管一起單片地集成并且共同構(gòu)成具有上側(cè)和下側(cè)的第一堆疊。

部分電壓源的數(shù)量N大于等于2，并且光在第一堆疊的上側(cè)處照射到所述半導(dǎo)體二極管中的一個的表面上。第一堆疊在表面上具有第一電接通部并且在下側(cè)上具有第二電接通部。

第一堆疊具有小于12μm的總厚度并且布置在半導(dǎo)體襯底上，其中，該半導(dǎo)體襯底與該堆疊以及晶體管單片地連接。

該晶體管的控制輸入端與兩個電接通部連接。

可以理解，在借助經(jīng)調(diào)制的光照射時，接收器模塊產(chǎn)生經(jīng)調(diào)制的直流電壓。應(yīng)說明的是，優(yōu)選借助光照射構(gòu)造在堆疊上側(cè)上的二極管的整個上側(cè)。也可以理解，光的相應(yīng)于光波長的光子能量至少大于或等于半導(dǎo)體二極管的吸收層的帶隙能量。