[發(fā)明專利]光電耦合器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780010690.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-02-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108604899B | 公開（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | W·克斯特勒;D·富爾曼;W·古特;C·韋希特爾;C·佩珀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 阿聚爾斯佩西太陽能有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K19/14 | 分類號(hào)： | H03K19/14;H01L31/167 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德國(guó)海*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電 耦合器 | ||
1.一種光電耦合器(OPK)，其具有發(fā)送單元(S)和接收單元(EM)，其中，所述發(fā)送單元(S)與所述接收單元(EM)彼此電流隔離并且彼此光學(xué)耦合，并且集成在一個(gè)共同的殼體中，其中，所述接收單元(EM)具有第一連接接通部(VSUP1)和第二連接接通部(VSUP2)，并且：
所述發(fā)送單元(S)具有至少一個(gè)第一發(fā)送二極管(SD1)和第二發(fā)送二極管(SD2)，所述第一發(fā)送二極管具有第一光波長(zhǎng)(L1)，所述第二發(fā)送二極管具有第二光波長(zhǎng)(L2)；
其中，所述第一光波長(zhǎng)(L1)與所述第二光波長(zhǎng)(L2)相差波長(zhǎng)差(D)；
其中，第一部分源(VQ1)具有第一半導(dǎo)體二極管(D1)，第二部分源(VQ2)具有第二半導(dǎo)體二極管(D2)，每個(gè)部分源(VQ1，VQ2)具有多個(gè)半導(dǎo)體層，并且每個(gè)部分源(VQ1，VQ2)的半導(dǎo)體層堆疊狀地布置，并且每個(gè)部分源(VQ1，VQ2)具有上側(cè)和下側(cè)；
其中，所述第一半導(dǎo)體二極管(D1)具有匹配于所述第一光波長(zhǎng)(L1)的吸收邊，所述第二半導(dǎo)體二極管(D2)具有匹配于所述第二光波長(zhǎng)(L2)的吸收邊，使得所述第一部分源(VQ1)在借助所述第一光波長(zhǎng)(L1)照射時(shí)產(chǎn)生能量，并且所述第二部分源(VQ2)在借助所述第二光波長(zhǎng)(L2)照射時(shí)產(chǎn)生能量，
其特征在于，
所述接收單元(EM)包括能量源(VQ)，所述能量源(VQ)具有構(gòu)造成電流源或電壓源的兩個(gè)部分源(VQ1，VQ2)，
所述第一部分源(VQ1)的下側(cè)布置在所述第二部分源(VQ2)的上側(cè)上，使得所述兩個(gè)部分源(VQ1，VQ2)構(gòu)成具有前側(cè)和后側(cè)的共同堆疊，并且在兩個(gè)相繼布置的半導(dǎo)體二極管(D1，D2)之間構(gòu)造有隧道二極管，其中，所述兩個(gè)部分源(VQ1，VQ2)串聯(lián)連接；
與所述第一連接接通部(VSUP1)連接的第一金屬接通部(K1)構(gòu)造在所述第一部分源的上側(cè)上，第二金屬接通部(K2)構(gòu)造在所述第二部分源的下側(cè)上；
其中，所述第二金屬接通部(K2)整面地構(gòu)造在襯底(SUB)的下側(cè)上，并且
所述襯底(SUB)具有上側(cè)(OS)，并且所述襯底(SUB)的上側(cè)(OS)
與所述第二部分源(VQ2)的下側(cè)材料鎖合地單片地連接，并且所述襯底(SUB)的上側(cè)(OS)具有比所述能量源(VQ)下側(cè)上的面更大的表面，從而形成環(huán)繞的階梯(STU)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電耦合器(OPK)，其特征在于，所述第一部分源(VQ1)與所述第二部分源(VQ2)單片地集成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器(OPK)，其特征在于，射束在所述兩個(gè)部分源(VQ1，VQ2)的情況下照射到相應(yīng)的上側(cè)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器(OPK)，其特征在于，在所述兩個(gè)部分源(VQ1，VQ2)的堆疊狀布置的情況下，所述第二連接接通部(VSUP2)通過所述襯底(SUB)構(gòu)造在所述堆疊的后側(cè)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器(OPK)，其特征在于，所述接收單元(EM)具有自導(dǎo)通的晶體管(T1L)，其中，所述晶體管(T1L)的柵極與串聯(lián)連接的部分源(VQ1，VQ2)的所述第二連接接通部(VSUP2)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器(OPK)，其特征在于，所述接收單元(EM)具有分析處理單元(AWE)，并且所述分析處理單元(AWE)與所述兩個(gè)部分源(VQ1，VQ2)電有效連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器(OPK)，其特征在于，所述第一部分源(VQ1)由多個(gè)第一半導(dǎo)體二極管(D1)構(gòu)成，所述第二部分源(VQ2)由多個(gè)第二半導(dǎo)體二極管(D2)構(gòu)成，并且所述兩個(gè)部分源(VQ1，VQ2)在300K的情況下分別具有大于2伏特的源電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器(OPK)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體二極管(D1)包括InGaP，所述第二半導(dǎo)體二極管(D2)包括GaAs或InGaAs。
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