[發(fā)明專利]磷摻雜硅單晶

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780010459.1
• 申請(qǐng)日: 2017-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN108699724B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 泰斯·萊斯·斯維加德;馬丁·格萊斯瓦恩吉;克里斯蒂安·伽米洛夫特·辛德里森;蘇尼·布·杜恩;安德斯·雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TOPSIL環(huán)球晶圓股份公司
• 主分類號(hào): C30B29/06
• 分類號(hào): C30B29/06;C30B31/08;C30B31/20;H01L21/261
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李博

1.直徑在175mm至255mm范圍內(nèi)、軸向長度在50mm至1000mm范圍內(nèi)且氧含量低于2·10¹⁶cm^-3的磷摻雜硅單晶，所述磷摻雜硅單晶在橫向平面中具有的摻雜劑原子密度為從磷摻雜的硅錠切割的晶片提供了55Ωcm至2000Ωcm范圍內(nèi)的目標(biāo)電阻率(ρ_NTD)，其中，當(dāng)在800℃至1300℃范圍內(nèi)的溫度下將硅退火之后測(cè)量電阻率時(shí)，對(duì)于至少75％的從磷摻雜硅單晶切割的晶片獲得2％或更小的根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF81測(cè)定的RRV值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜硅單晶，其中對(duì)于至少10個(gè)從所述磷摻雜硅單晶切割的晶片，獲得2％或更小的RRV值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜硅單晶，其中所述目標(biāo)電阻率在100Ωcm至1200Ωcm范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜硅單晶，其中退火之后在所述硅晶片的表面上記錄的5個(gè)或更多個(gè)電阻率值提供了平均電阻率ρ_av，并且定義為ρ_av/ρ_NTD的歸一化平均電阻率在0.95至1.05范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磷摻雜硅單晶，其中對(duì)于至少10個(gè)從所述磷摻雜硅單晶切割的晶片，所述歸一化平均電阻率ρ_av/ρ_NTD在0.95至1.05范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磷摻雜硅單晶，其中對(duì)于至少75％的從所述磷摻雜硅單晶切割的晶片，所述歸一化平均電阻率ρ_av/ρ_NTD在0.95至1.05范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜硅單晶，其中從所述磷摻雜硅單晶切割的多個(gè)晶片對(duì)于RRV具有4％或更小的規(guī)格上限(USL)，其中對(duì)于所述多個(gè)晶片，USL定義為平均RRV加上3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差。

8.從根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的磷摻雜硅單晶切割的多個(gè)晶片，其中所述多個(gè)晶片中的每個(gè)晶片的直徑在175mm至225mm范圍內(nèi)，氧含量低于2·10¹⁶cm^-3，以及當(dāng)在800℃至1300℃范圍內(nèi)的溫度下將硅退火之后測(cè)量電阻率時(shí)根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF81測(cè)定的RRV值為2％或更小。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多個(gè)晶片，其中所述多個(gè)晶片對(duì)于歸一化平均電阻率ρ_av/ρ_NTD具有5％的USL和-5％的規(guī)格下限(LSL)，其中，對(duì)于所述多個(gè)晶片，USL定義為加上3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差，且對(duì)于所述多個(gè)晶片，LSL定義為減去3標(biāo)準(zhǔn)偏差。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多個(gè)晶片，所述多個(gè)晶片已經(jīng)在800℃至1300℃的溫度范圍內(nèi)退火。