[發(fā)明專利]熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780010421.4 | 申請日: | 2017-03-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108633316A | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 德丸慎司;宇野智裕 | 申請(專利權(quán))人: | 新日鐵住金株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/055 | 分類號(hào): | H01L31/055;C04B35/00;G01J5/58;H02S10/30 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電介質(zhì)層 復(fù)合層 金屬體 轉(zhuǎn)換構(gòu)件 相反側(cè) 熱光 半導(dǎo)體 耐熱性 金屬 氧化物 | ||
一種能夠獲得達(dá)到1000℃的耐熱性的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件,其特征在于,具備:金屬體、設(shè)置于上述金屬體的一表面上的第1電介質(zhì)層、設(shè)置于上述第1電介質(zhì)層的與上述金屬體側(cè)相反側(cè)的另一表面上的復(fù)合層和設(shè)置于上述復(fù)合層的與上述第1電介質(zhì)層相反側(cè)的另一表面上的第2電介質(zhì)層,其中,上述復(fù)合層是在金屬或半導(dǎo)體的氧化物中分散地設(shè)置有上述金屬或上述半導(dǎo)體而成的層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及將來自熱源的輻射能(輻射光)轉(zhuǎn)換成具有規(guī)定的波長分布的光的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件。
背景技術(shù)
作為利用500℃以上的溫度區(qū)域的廢熱(余熱)的方法,熱光伏(TPV:thermophotovoltaic)發(fā)電受到注目。就熱光伏發(fā)電而言,將熱能(輻射光)通過熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件進(jìn)行波長選擇而轉(zhuǎn)換成具有規(guī)定的波長分布的光,將被轉(zhuǎn)換的光從熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件中放射出來,再將從熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件中放射出來的光通過光電轉(zhuǎn)換(PV:photovoltaic)元件而轉(zhuǎn)換成電。熱光伏發(fā)電由于能夠由熱能直接獲得電能,因此能量轉(zhuǎn)換效率好。
對(duì)由熱源產(chǎn)生的輻射能(輻射光)進(jìn)行波長選擇的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件的輻射特性與將來自熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件的輻射光轉(zhuǎn)換成電的光電轉(zhuǎn)換元件的吸收特性的波長匹配變得重要。因此,期望開發(fā)能夠選擇性地放射出光電轉(zhuǎn)換元件能夠轉(zhuǎn)換成電的波長的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件。
專利文獻(xiàn)1中,作為熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件,公開了包含至少1種半導(dǎo)體與至少1種金屬材料的復(fù)合材料的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件。專利文獻(xiàn)1中,作為半導(dǎo)體,例示出了FeSiX(X=0.5~4),作為金屬材料,例示出了Ag、Mo、Cu。
專利文獻(xiàn)2中,作為熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件,公開了包含至少1種半導(dǎo)體與電介質(zhì)的復(fù)合材料的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件。專利文獻(xiàn)2中,作為半導(dǎo)體,例示出了FeS2、Mg2Si、Zn3As2、Ge,作為電介質(zhì),例示出了SiO2、Al2O3、AlN。
專利文獻(xiàn)3中公開了一種熱轉(zhuǎn)換元件,其在基材的上表面、下表面層疊有紅外輻射材料層和防反射層。作為這樣的熱交換元件的一個(gè)例子,公開了紅外輻射材料層為Cr和Cr2O3的金屬陶瓷膜、防反射膜為Cr2O3的例子。
專利文獻(xiàn)4中公開了一種熱光伏發(fā)電用發(fā)射體,其是在Fe、Co、Ni、不銹鋼等基板上設(shè)置有β-FeSi2等防反射膜而成。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2014-85099號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2014-85101號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:國際公開第2012/056806號(hào)
專利文獻(xiàn)4:日本特開2011-096770號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
專利文獻(xiàn)1~4中公開的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件由于構(gòu)成復(fù)合材料的材料彼此在達(dá)到1000℃的高溫下發(fā)生反應(yīng)而導(dǎo)致波長選擇性劣化,因此存在無法得到充分的耐熱性這樣的問題。
本發(fā)明鑒于上述的情況,目的是提供能夠獲得達(dá)到1000℃的耐熱性的熱光轉(zhuǎn)換構(gòu)件。
用于解決課題的手段
本發(fā)明的發(fā)明者們?yōu)榱颂岣邿峁廪D(zhuǎn)換構(gòu)件的耐熱性,對(duì)其構(gòu)成進(jìn)行深入研究,完成了本發(fā)明。其主旨如下所述。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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