[發(fā)明專利]聲吸收器、吸聲壁以及設(shè)計(jì)和生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780010387.0
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN108780637B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 埃米爾·馬丁奇科;亞歷山大·烏杜安;斯特凡娜·杜蘭德;努迪尼·雅庫比;埃利·勒弗夫爾;伊夫·奧勒岡
• 申請（專利權(quán)）人: 巴黎-薩克雷大學(xué);法國國家科學(xué)研究中心;勒芒大學(xué)
• 主分類號: G10K11/16
• 分類號: G10K11/16;E04B1/84
• 代理公司: 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 謝攀;劉繼富

1.一種聲吸收裝置(3、6、7、8)，包括限定腔(30、80)的外殼(38、39、88、89)，該腔通過穿過具有確定的厚度的前壁(37)的至少一個(gè)孔向外開放到入口方向，從而形成具有確定的開口表面(A31)和確定的長度(L31)的頸部(31、61、71、81)，所述外殼和所述頸部的尺寸被確定為一起形成用于第一頻率或頻率范圍的亥姆霍茲諧振器，該第一頻率或頻率范圍稱為固有頻率，其特征在于，

所述聲吸收裝置包括至少一個(gè)移動(dòng)元件或晶片(32、62、72、72'、92a、92b)，通過一個(gè)或更多個(gè)機(jī)械連接件或懸架(33、6140、931a、931b)在部分地阻擋所述至少一個(gè)頸部的位置處懸掛于所述外殼，即在其全部或部分行程上未密封；并且其中，所述懸架的剛度和所述晶片的剛度是結(jié)合確定的，使得所述晶片沿著入射波的方向以“活塞”型諧振模式在不同于所述第一頻率的第二頻率或頻率范圍內(nèi)振動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)對該第二頻率或頻率范圍的吸收。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述晶片(32、62、72、72'、92a、92b)由選自以下材料中的一種或更多種制成：硅、石英、氧化鋁、鈦及其合金、鋼、鋁及其合金、塑料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述懸架(33、6140、931a、931b)由材料并根據(jù)提供彈性行為的幾何形狀制成，其中，對于平均直徑在10mm和20mm之間的晶片，晶片在其周邊的移動(dòng)的剛度小于6N/m。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述懸架(33)包括將所述晶片(32)連接到所述外殼的細(xì)長臂，所述細(xì)長臂具有圍繞所述晶片、平行于所述頸部(31)和/或所述晶片(32)的邊緣延伸的形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述晶片通過借助于在與所述外殼成一體的板或片(320、512、612)中制成一個(gè)或更多個(gè)切口(330)以便形成懸架臂(331)而相對于所述外殼可移動(dòng)的部分，從而在所述板或片(320、512、612)內(nèi)制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述晶片(62、72、72')通過在兩端從所述頸部突出的一個(gè)或更多個(gè)前進(jìn)部保持在所述頸部中，所述前進(jìn)部在所述晶片周邊的前面延伸，從而形成防止所述晶片從所述頸部脫離的止擋件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述晶片(72、72')具有以在足夠確定的長度上的確定的偏差與所述頸部的內(nèi)表面一致的周邊，結(jié)合所述偏差以及所述頸部和所述晶片的材料的性質(zhì)，允許所述晶片沿所述頸部移動(dòng)而不會(huì)由于傾斜和拱起使其阻塞。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述晶片由揚(yáng)聲器的膜(82)形成，所述揚(yáng)聲器通過柔性外圍密封件(83、84)固定到外框架(87、85)，并且所述密封件具有一個(gè)或更多個(gè)切口(830、840)，所述切口(830、840)圍繞所述晶片的周邊的至少20％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述晶片(32)還通過電磁系統(tǒng)(324、374、824、874)與所述外殼相互作用，以便形成揚(yáng)聲器的膜，并且所述電磁系統(tǒng)由電子電路控制以便：

-實(shí)現(xiàn)有源的聲吸收，和/或

-改變所述揚(yáng)聲器的聲阻抗，從而增強(qiáng)吸收，改變吸收頻率，擴(kuò)大吸收頻率范圍，或?qū)崿F(xiàn)這些效果的組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述聲吸收裝置(3、6、7、8)是無源吸收器。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述懸架的剛度和所述晶片的剛度以比值的方式確定。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲吸收裝置，其特征在于，所述第二頻率或頻率范圍低于所述第一頻率。