[發明專利]用于控制磁場中帶電粒子的設備和方法

有效

• 申請號: 201780010282.5
• 申請日: 2017-02-02
• 公開（公告）號: CN108713238B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: R.斯特里叟;K.亨特;Y.本阿瑞;R.朱瑞科;T.尚利
• 申請（專利權）人: 艾德特斯解決方案有限公司
• 主分類號: H01J43/04
• 分類號: H01J43/04;H01J49/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 秦寶龍;申屠偉進

1.一種用于提供磁場的設備，所述設備包括：

磁體，其具有表面，

與所述磁體磁連通的兩個磁極，所述磁極在所述磁體的所述表面上方延伸，

設置在所述磁體表面上方且在所述磁極之間的結構，所述結構至少部分地由兩個或更多個桿構成，每個桿由高磁導率材料制成，

其中，所述設備被配置為在所述兩個或更多個桿中的每個桿和低磁導率材料之間提供界面，

其中，所述低磁導率材料是圍繞所述結構的所述兩個或更多個桿中的每個桿的氣體或真空。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述兩個或更多個桿相對于所述氣體或真空布置以便提供高磁導率和低磁導率的交替區域。

3.根據權利要求1所述的設備，其中，所述兩個或更多個桿通過一個或多個接合區域接合在一起。

4.根據權利要求1所述的設備，其中，所述兩個或更多個桿彼此平行，和/或平行于所述磁體表面，和/或平行于所述磁極。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的設備，其中，所述磁體被配置為形成等標量磁通量密度線，并且所述兩個或更多個桿大體上沿著所述等標量磁通量密度線對準。

6.根據權利要求3所述的設備，其中，所述磁體被配置為形成等標量磁通量密度線，并且所述接合區域大體上跨過由所述磁體形成的等標量磁通量密度線對準。

7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述結構設置在所述磁體表面上方至少0.1mm處。

8.根據權利要求1所述的設備，其中，所述結構設置在所述磁體表面上方至少1mm處。

9.根據權利要求1所述的設備，其中，所述磁體表面是平面的，并且所述結構平行于所述磁體表面。

10.根據權利要求1所述的設備，其中，所述結構被配置為改變所述磁體的磁場，以減少或消除所述磁場中的無序，和/或減少所述磁場的大小，和/或引起所述磁場的變形，和/或將所述磁場對準或重新對準，和/或對所述磁場進行定向或重新定向，和/或改變所述磁場的分布或形狀。

11.一種電子倍增器，其包括根據權利要求1至10中任一項所述的設備。

12.一種用于控制帶電粒子的方法，所述方法包括以下步驟：

提供帶電粒子，

提供根據權利要求1至10中任一項所述的設備，

朝向所述設備推動所述帶電粒子，以及

允許所述設備控制所述帶電粒子。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述帶電粒子是電子。

14.一種用于放大電子信號的方法，包括根據權利要求13所述的方法，其中，使用對電子的控制來推動電子朝向和/或遠離倍增極。