[發明專利]拋光系統以及制備和使用拋光系統的方法

在審

• 申請號: 201780010242.0
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN108603076A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 約翰·J·加戈里亞迪;埃里克·C·科德;保羅·S·勒格
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: C09G1/00
• 分類號: C09G1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 牛海軍

1.一種拋光系統，包括：

待拋光的基板；

拋光墊，所述拋光墊包括

基底層；以及

抗磨損層；以及

設置在所述拋光墊與所述基板之間的拋光液，所述拋光液包含：

流體組分；以及

多個陶瓷磨料復合物，所述陶瓷磨料復合物包括均勻地分散在整個多孔陶瓷基體上的單獨的磨料顆粒；

其中所述多孔陶瓷基體的至少一部分包含玻璃狀陶瓷材料；并且

其中所述陶瓷磨料復合物分散在所述流體組分中。

2.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述基底層具有最靠近所述基板定位的第一主表面，并且其中所述抗磨損層設置在所述基底層的所述第一主表面上。

3.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述抗磨損層包含超高分子量聚乙烯。

4.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述抗磨損層具有介于1密耳和5密耳之間的平均厚度。

5.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述基底層是聚合物的。

6.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述基底層包含聚丙烯。

7.根據權利要求1所述的拋光系統，所述拋光墊還包括多個腔，所述腔從所述基底層的所述主表面中的任一者或兩者延伸到所述基底層中。

8.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述流體組分包括乙二醇、丙二醇、甘油或乙二醇的低聚物。

9.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述磨料顆粒包括金剛石、立方氮化硼、熔融氧化鋁、陶瓷氧化鋁、經加熱處理的氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氧化鋁氧化鋯、氧化鐵、二氧化鈰或石榴石。

10.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述磨料顆粒包括金剛石。

11.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述陶瓷磨料復合物具有小于500微米的平均粒度。

12.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述陶瓷磨料復合物的平均尺寸是所述磨料顆粒的平均尺寸的至少約5倍。

13.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述多孔陶瓷基體包含玻璃，所述玻璃包含氧化鋁、氧化硼、氧化硅、氧化鎂、氧化鈉、氧化錳或氧化鋅。

14.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述磨料復合物在所述流體組分中的濃度介于0.065重量％和6.5重量％之間。

15.根據權利要求1所述的拋光系統，其中所述多孔陶瓷基體包含至少40重量％的玻璃狀陶瓷材料。

16.一種拋光基板的方法，所述方法包括：

提供待拋光的基板；

提供拋光墊，所述拋光墊包括

基底層；以及

抗磨損層；

提供拋光液，所述拋光液包含

流體組分；以及

多個陶瓷磨料復合物，所述陶瓷磨料復合物包括均勻地分散在整個多孔陶瓷基體上的單獨的磨料顆粒；

其中所述多孔陶瓷基體的至少一部分包含玻璃狀陶瓷材料；并且

其中所述陶瓷磨料復合物分散在所述流體組分中；

將所述拋光液定位在所述基板與所述拋光墊之間；

將所述基板和所述拋光墊相對于彼此移動，使得所述基板被拋光。