[發(fā)明專(zhuān)利]過(guò)硫酸溶液制造供給裝置及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780010114.6
• 申請(qǐng)日: 2017-03-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108603299B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小川祐一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 栗田工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C25B15/08
• 分類(lèi)號(hào): C25B15/08;C25B1/30;C25B9/18;H01L21/304
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇

本發(fā)明提供一種過(guò)硫酸溶液制造供給裝置及方法，其能縮短半導(dǎo)體晶片清洗裝置中的過(guò)硫酸溶液的更換時(shí)間。在通過(guò)第1電解系統(tǒng)(20)向清洗槽(11)循環(huán)供給過(guò)硫酸溶液的期間，水和硫酸導(dǎo)入第2電解系統(tǒng)的貯存槽(41)，并且通過(guò)泵(44)、配管(45)、電解單元(50)、氣液分離器(52)、配管(53)而循環(huán)，由此生成過(guò)硫酸。在進(jìn)行化學(xué)變化時(shí)，在從第1電解系統(tǒng)(20)排液之后，將貯存槽(41)內(nèi)的過(guò)硫酸溶液移送至貯存槽(22)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用以對(duì)清洗處理半導(dǎo)體晶片的清洗裝置等供給過(guò)硫酸溶液的裝置及方法。

背景技術(shù)

在通過(guò)電解硫酸溶液來(lái)清洗半導(dǎo)體晶片時(shí)，通過(guò)至少在陽(yáng)極具備有鉆石電極(diamond electrode)的電解單元來(lái)電解硫酸以生成由包含規(guī)定量的過(guò)硫酸(過(guò)一硫酸與過(guò)二硫酸的總稱(chēng))、而不包含過(guò)硫酸鹽的過(guò)硫酸溶液所構(gòu)成的電解硫酸，并對(duì)清洗機(jī)供給電解硫酸液。使用該液體，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片上的阻劑(resist)或金屬的溶解或清洗。

由于直至電解硫酸并生成規(guī)定量的過(guò)硫酸為止需要較長(zhǎng)的時(shí)間，所以為了配合晶片的清洗工序來(lái)生成、供給電解硫酸作為清洗液，就有必要設(shè)置較多的電解單元。

在專(zhuān)利文獻(xiàn)1(日本特開(kāi)2008-111184)的實(shí)施方式5中，已記載以下的系統(tǒng)：設(shè)置3個(gè)電解液貯存槽，并且分別將1個(gè)使用于向清洗部的排出、將1個(gè)使用于從清洗部的回收、將1個(gè)使用于與電解單元的循環(huán)，當(dāng)結(jié)束1個(gè)循環(huán)期時(shí)，就通過(guò)將通液切換成循環(huán)用→排出用、排出用→回收用、回收用→循環(huán)用的轉(zhuǎn)塔式(merry-go-round)的處理，從而在清洗中在后臺(tái)(background)生成電解硫酸。但是，會(huì)有因電解時(shí)間比清洗時(shí)間還需要長(zhǎng)時(shí)間，故而發(fā)生直至電解硫酸制造為止的等待時(shí)間的問(wèn)題。

在電解硫酸中，如SPM(硫酸+過(guò)氧化氫)不會(huì)伴隨過(guò)硫酸再生而使硫酸濃度降低，因此，能夠容易循環(huán)再生清洗液并再利用于清洗。根據(jù)此，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中采用該方式。但是，清洗排液中所含的雜質(zhì)(除了從晶片溶出的微量的金屬以外，在阻劑剝離除去的情況下為有機(jī)物或來(lái)自于有機(jī)物的SS，在殘?jiān)饘偃芙獬サ那闆r下為殘?jiān)饘俚臍埩粑?會(huì)伴隨循環(huán)次數(shù)增加而混入、累積于液體中。因此，隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)會(huì)有對(duì)電解處理、清洗處理帶來(lái)不良影響的風(fēng)險(xiǎn)。

因此，特別是在循環(huán)式中有必要定期性地將清洗液更換成新(fresh)的清洗液。具體而言，需要以下的工序：將系統(tǒng)內(nèi)的液體定期性地?cái)D出全部、或者定期性或連續(xù)性地?cái)D出一部分，并補(bǔ)給相應(yīng)的硫酸以生成電解硫酸并再次開(kāi)始晶片清洗。但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，并未針對(duì)溶液更換加以考慮。

在如日本特開(kāi)2008-111184的轉(zhuǎn)塔式的系統(tǒng)中，必須將全部的貯存槽形成為相同的大小。因此，該系統(tǒng)例如會(huì)如第1貯存槽100L、第2貯存槽100L、第3貯存槽100L、清洗槽容量60L、配管容量10L般地成為大型化。

如上述，雖然在利用電解硫酸進(jìn)行的半導(dǎo)體晶片清洗中，循環(huán)再利用清洗排液時(shí)，考慮清洗排液所含的雜質(zhì)的隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)的累積來(lái)進(jìn)行溶液的更換，但是為了電解硫酸以生成過(guò)硫酸，由于需要長(zhǎng)時(shí)間，所以直至電解并生成規(guī)定量的過(guò)硫酸為止，不能進(jìn)行晶片的處理。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2008-111184號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

本發(fā)明的目的在于，提供一種能縮短半導(dǎo)體晶片清洗裝置中的過(guò)硫酸溶液的更換時(shí)間的過(guò)硫酸溶液制造供給裝置及方法。

解決問(wèn)題的技術(shù)方案

本發(fā)明的過(guò)硫酸溶液制造供給裝置，具有對(duì)晶片清洗裝置循環(huán)供給過(guò)硫酸溶液的第1電解系統(tǒng)。該過(guò)硫酸溶液制造供給裝置，具備：用于生成過(guò)硫酸溶液的第2電解系統(tǒng)，該第2電解系統(tǒng)與所述第1電解系統(tǒng)分別地設(shè)置；以及移送裝置，其將電解溶液從第2電解系統(tǒng)移送至第1電解系統(tǒng)。