[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請號: | 201780010108.0 | 申請日: | 2017-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN108604548B | 公開(公告)日: | 2022-11-01 |
| 發明(設計)人: | 中井仁司;安藤幸嗣 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其中,具備:
基板保持部,保持基板;
基板旋轉機構,使所述基板保持部和所述基板一起旋轉;
純水供給部,向所述基板的朝向上方的主表面供給純水;
混合液供給部,向所述主表面供給通過將表面張力小于純水的常溫的有機溶劑和加熱的純水混合而生成且溫度高于常溫的混合液;
有機溶劑供給部,向所述主表面供給所述有機溶劑;以及
控制部,在使所述純水供給部、所述混合液供給部和所述有機溶劑供給部向通過所述基板旋轉機構進行旋轉的所述基板的所述主表面依次供給所述純水、所述混合液和所述有機溶劑之后,通過所述基板的旋轉去除所述主表面上的所述有機溶劑。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
所述混合液中的所述有機溶劑的濃度為50vol%以下。
3.一種基板處理方法,其中,包括:
a)工序,向旋轉的基板的朝向上方的主表面供給純水;
b)工序,向旋轉的所述基板的所述主表面供給通過將表面張力小于純水的常溫的有機溶劑和加熱的純水混合而生成且溫度高于常溫的混合液;
c)工序,向旋轉的所述基板的所述主表面供給所述有機溶劑;以及
d)工序,借助所述基板的旋轉去除所述主表面上的所述有機溶劑。
4.根據權利要求3所述的基板處理方法,其中,
所述混合液中的所述有機溶劑的濃度為50vol%以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





