[發(fā)明專利]整體型基材及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780009709.X | 申請日: | 2017-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN108883997B | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 古川昌宏;吉村遼太郎 | 申請(專利權(quán))人: | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號: | C04B38/00 | 分類號: | C04B38/00;B01D69/10;C04B35/117;C04B38/06 |
| 代理公司: | 北京旭知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 整體 基材 及其 制造 方法 | ||
1.一種整體型基材,其是由作為骨料的氧化鋁粒子和作為粘結(jié)劑的氧化物相構(gòu)成且具有細孔的整體型基材,其中,
所述氧化鋁粒子包含粒徑0.5μm~5μm的氧化鋁微粒和粒徑超過5μm的氧化鋁粗粒,
所述氧化鋁微粒中的包含在所述氧化物相內(nèi)的氧化鋁微粒的個數(shù)為所述氧化鋁微粒與所述氧化鋁粗粒的總數(shù)的50%以上,
所述氧化物相包含:堿金屬以及堿土金屬中的至少一種、Si以及Al。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體型基材,其中,
所述氧化物相同時包含堿金屬以及堿土金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體型基材,其中,
所述氧化物相的含有率為22體積%~38體積%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體型基材,其中,
所述氧化物相中的Si的含有率按SiO2換算為50質(zhì)量%~90質(zhì)量%,
所述氧化物相中的堿金屬以及堿土金屬的合計含有率按氧化物換算為9質(zhì)量%~15質(zhì)量%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的整體型基材,其中,
所述氧化物相的比重為1g/cc~3g/cc。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的整體型基材,其中,
具備分別從第一端面連通至第二端面的多個過濾隔室,
所述多個過濾隔室中的鄰接的2個貫通孔間的隔壁厚度為0.05mm~0.20mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的整體型基材,其中,
截面處的所述細孔的氣孔率為30%~45%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的整體型基材,其中,
所述細孔的Dp50為2μm~6μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的整體型基材,其中,
在所述細孔的Dp50為10yμm的情況下,所述細孔的Dp10為10(y+0.5)μm以下,
在所述細孔的Dp50為10yμm的情況下,所述細孔的Dp90為10(y-0.5)μm以上。
10.一種整體型基材的制造方法,其中,
具備:形成由作為骨料的氧化鋁粒子粉末和作為粘結(jié)劑的氧化物相原料粉末構(gòu)成且具有細孔的整體型基材的成型體的工序、以及對所述成型體進行燒成的工序,
所述氧化鋁粒子粉末的Dg50為5μm~40μm,
在所述氧化鋁粒子粉末的Dg50為10zμm的情況下,所述氧化鋁粒子粉末的Dg10為10(z-0.2)μm以下,
在所述氧化鋁粒子粉末的Dg50為10zμm的情況下,所述氧化鋁粒子粉末的Dg90為10(z+0.2)μm以上,
所述氧化物相包含:堿金屬以及堿土金屬中的至少一種、Si以及Al。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的整體型基材的制造方法,其中,
所述氧化物相的含有率按氧化物換算為6.6質(zhì)量%~32質(zhì)量%。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的整體型基材的制造方法,其中,
所述氧化物相中的Si的含有率按SiO2換算為50質(zhì)量%~90質(zhì)量%,
所述氧化物相中的堿金屬以及堿土金屬的含有率按氧化物換算為9質(zhì)量%~15質(zhì)量%。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中的任意一項所述的整體型基材的制造方法,其中,
在對所述成型體進行燒成的工序中,燒成溫度為1100℃~1400℃。
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