[發明專利]相關電子材料器件的制造和操作

在審

• 申請號: 201780008557.1
• 申請日: 2017-01-25
• 公開（公告）號: CN108701760A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 卡洛斯·阿爾博托·巴斯·德·阿勞約;卓蘭塔·博澤納·賽琳斯卡;金柏莉·蓋伊·里德;盧西恩·施弗倫
• 申請（專利權）人: ARM有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C23C16/18
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 林強

1.一種構建器件的方法，包括：

在腔室中于基板上形成一層或多層相關電子材料(CEM)，所述一層或多層CEM由過渡金屬和主要配體形成，所述一層或多層CEM在形成所述CEM的配位球中具有一定濃度的缺陷；以及

將所述一層或多層CEM暴露于包含取代配體的分子摻雜劑以形成P型CEM，其中所述分子摻雜劑包括以下項中的一種或多種：O₂^2-(過氧化物)、I^-(碘離子)、Br^-(溴離子)、S^2-(硫)、SCN^-(硫氰酸根離子，[SCN]^-(中間具有碳的硫-碳-氮配體))、Cl^-(氯離子)、N₃^-(疊氮化物)、F^-(氟離子)、NCO^-(氰酸酯)、OH^-(氫氧化物)、C₂O₄^2-(草酸鹽)、H₂O(水)、NCS^-(異硫氰酸酯)、CH₃CN(乙腈)、C₅H₅N(吡啶)、乙二胺(C₂H₄(NH₂)₂)、bipy(2,2'-聯吡啶)、C₁₀H₈N₂(菲咯啉(1,10-菲咯啉))、C₁₂H₈N₂(菲咯啉)、NO^2-(亞硝酸鹽)、P(C₆H₅)₃(三苯基膦)、CN^-(氰化物離子)、和C_xH_yO_z分子(其中x，y和z為整數并且至少x和y且z≥1)、C_xH_yN_z分子(其中x，y和z為整數并且至少x或y或z≥1)、和N_xO_y分子(其中x和y是整數并且至少x或y≥1)，其中，

所形成的CEM的一層或多層包含原子濃度約在0.1％至10.0％范圍內的所述分子摻雜劑。

2.根據權利要求1的方法，其中，所述取代配體用于降低形成所述CEM的配位球中的缺陷的濃度，其中所述配位球中缺陷的濃度的降低抑制了所述一層或多層CEM中的導電絲形成。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述過渡金屬包括鎳。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述主要配體包括氧、硫、硒或碲、或其組合。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述取代配體包括羰基、乙烯、亞硝鎓或氨、或其任何組合。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述一層或多層CEM形成在導電基板上。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述取代配體用于降低形成所述CEM的配位球中的缺陷的濃度，并且其中所述配位球中缺陷的濃度的降低增加所述一層或多層CEM的導電性。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述一層或多層CEM通過所述過渡金屬和所述分子摻雜劑之間的σ鍵而表現出電子捐獻，并且其中所述CEM另外利用所述過渡金屬的π鍵而表現出電子回捐。