[發明專利]用于互連太陽能電池的方法在審
| 申請號: | 201780007438.4 | 申請日: | 2017-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN108541345A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | L·藍;楊琳琳;丁健 | 申請(專利權)人: | 奧塔裝置公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L27/142 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人: | 權鮮枝 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸區域 后電極 支撐基板 電接觸 光伏層 導電互連 光伏電池 光伏模塊 延伸穿過 后基板 前電極 電池 太陽能電池 后通孔 前表面 前通孔 互連 隔離 | ||
1.一種光伏電池,包括:
光伏層,其配置為將光能轉換為電能;
前導電層,其設置在所述光伏層的第一側上;
后導電層,其設置在所述光伏層的第二側上,所述第二側與所述第一側相背,其中所述前導電層和所述后導電層配置為將源自所述光伏層的電流傳導到外部電路;和
支撐基板層,其設置在所述光伏層下方,
其中:
后通孔延伸穿過所述支撐基板,分配有與所述后導電層形成電接觸的導電材料,和
前通孔延伸穿過所述支撐基板層、所述后導電層和所述光伏層,分配有導電材料和絕緣材料,所述絕緣材料隔離所述導電材料與所述后導電層和所述光伏層的P側的電接觸,所述導電材料與所述前導電層形成電接觸。
2.根據權利要求1所述的光伏電池,其中所述絕緣材料被分配在所述前通孔的所述光伏層、所述后導電層和所述支撐基板層的側壁上,以形成絕緣壁,所述導電材料被分配在所述絕緣壁內。
3.根據權利要求2所述的光伏電池,其中所述絕緣壁在所述光伏層和所述后導電層的區域中覆蓋所述前通孔的所述側壁。
4.根據權利要求1所述的光伏電池,其中所述前通孔是通過激光燒蝕穿過所述支撐基板層到所述后導電層并通過濕法蝕刻穿過所述光伏層而形成的。
5.一種光伏模塊,包括:
后基板;
多個導電互連,它們設置在所述后基板的表面的頂部上,各導電互連包括第一接觸區域和第二接觸區域;和
多個光伏電池,它們彼此電耦合,其中各光伏電池包括設置在支撐基板頂部上的后電極頂部上的光伏層的前表面上的前電極,其中多個后通孔延伸穿過所述支撐基板,與所述后電極形成電接觸,并且多個前通孔延伸穿過所述支撐基板、所述后電極和所述光伏層,與所述前電極形成電接觸,并隔離與所述后電極和所述光伏層的P側的電接觸;
其中多個導電互連中的導電互連的所述第一接觸區域電耦合到所述多個光伏電池的第一光伏電池的所述多個前通孔,并且所述導電互連的所述第二接觸區域電耦合到所述多個光伏電池的第二光伏電池的所述多個后通孔。
6.根據權利要求5所述的光伏模塊,其中所述導電互連的所述第一接觸區域通過分配在所述多個前通孔中的導電材料電耦合到所述多個前通孔。
7.根據權利要求5所述的光伏模塊,其中所述導電互連的所述第二接觸區域通過分配在所述多個后通孔中的導電材料電耦合到所述多個后通孔。
8.根據權利要求5所述的光伏模塊,其中所述多個前通孔的前通孔是通過激光燒蝕穿過所述支撐基板到所述后電極并通過濕法蝕刻穿過所述光伏層而形成的。
9.根據權利要求5所述的光伏模塊,其中在所述多個光伏電池的光伏電池的前通孔的所述光伏層、所述后電極和所述支撐基板的側壁上分配有絕緣材料,以形成絕緣壁,在所述絕緣壁內分配有導電材料。
10.根據權利要求9所述的光伏模塊,其中所述絕緣壁在所述光伏層和所述后電極的區域中覆蓋所述前通孔的所述側壁。
11.根據權利要求5所述的光伏模塊,其中所述多個導電互連中的導電互連包括電耦合到二極管的延伸部。
12.根據權利要求5所述的光伏模塊,其中所述后基板是熱塑料,其將所述多個光伏電池結合到所述后基板的表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于奧塔裝置公司,未經奧塔裝置公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780007438.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:受光模塊及光學模塊的制造方法
- 下一篇:包括全局電子快門的圖像傳感器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





