[發明專利]聚酰亞胺薄膜的制造方法、聚酰亞胺薄膜、聚酰胺酸溶液及感光性組合物在審
| 申請號: | 201780007294.2 | 申請日: | 2017-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN108473698A | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 小松伸一;野田國宏;千坂博樹;鹽田大 | 申請(專利權)人: | JXTG能源株式會社;東京應化工業株式會社 |
| 主分類號: | C08J5/18 | 分類號: | C08J5/18;C08G73/10;C08K5/00;C08L79/08 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;尹明花 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰胺酸溶液 聚酰亞胺薄膜 芳香族二胺 四羧酸二酐 聚酰亞胺 原料混合液 聚酰胺酸 混合液 感光性組合物 酰亞胺化 溶劑 薄膜 制造 | ||
1.一種聚酰亞胺薄膜的制造方法,其特征在于,
包括如下工序:
準備含有溶劑、下述通式(1)所表示的四羧酸二酐和下述通式(2)所表示的芳香族二胺,并且所述四羧酸二酐與所述芳香族二胺的合計含量為15質量%以下的原料混合液,在該原料混合液中使所述四羧酸二酐與所述芳香族二胺進行反應,從而形成具有下述通式(3)所表示的重復單元的聚酰胺酸,并制得粘度為5~150cps的聚酰胺酸溶液的工序,
式(1)中,R1、R2、R3分別獨立地表示選自氫原子、碳原子數1~10的烷基及氟原子中的1種,n表示0~12的整數,
H2N-R10-NH2 (2)
式(2)中,R10表示碳原子數6~50的芳基,
式(3)中,R1、R2、R3分別獨立地表示選自氫原子、碳原子數1~10的烷基及氟原子中的1種,R10表示碳原子數6~50的芳基,n表示0~12的整數;
在所述聚酰胺酸溶液中添加下述通式(4)所表示的化合物,從而制得聚酰亞胺形成用混合液的工序,
式(4)中,R11表示選自氫原子及烷基中的1種,R12表示具有或不具有取代基的芳香族基團,R13表示具有或不具有取代基的亞烷基,R14分別獨立地表示選自鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、硅烷基、硅醇基、硝基、亞硝基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦酸根基及有機基團中的1種,m表示0~3的整數;以及
形成由所述聚酰亞胺形成用混合液構成的膜,使該膜中的所述聚酰胺酸進行酰亞胺化,從而制造由具有下述通式(5)所表示的重復單元的聚酰亞胺所形成的薄膜的工序,
式(5)中,R1、R2、R3分別獨立地表示選自氫原子、碳原子數1~10的烷基及氟原子中的1種,R10表示碳原子數6~50的芳基,n表示0~12的整數。
2.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜的制造方法,其特征在于,
所述聚酰胺酸溶液的粘度為10~100cps。
3.根據權利要求1或2所述的聚酰亞胺薄膜的制造方法,其特征在于,
通過將所述原料混合液在0~50℃的溫度條件下攪拌0.5~24小時,在所述原料混合液中使所述四羧酸二酐與所述芳香族二胺進行反應。
4.一種聚酰亞胺薄膜,其特征在于,
其是由權利要求1~3中任一項所述的聚酰亞胺薄膜的制造方法來制得的。
5.根據權利要求4所述的聚酰亞胺薄膜,其特征在于,
所述聚酰亞胺薄膜的表面算術平均粗糙度Ra為0.01~2.0nm。
6.一種聚酰胺酸溶液,其特征在于,
含有溶劑、具有下述通式(3)所表示的重復單元的聚酰胺酸、以及下述通式(4)所表示的化合物,
式(3)中,R1、R2、R3分別獨立地表示選自氫原子、碳原子數1~10的烷基及氟原子中的1種,R10表示碳原子數6~50的芳基,n表示0~12的整數,
式(4)中,R11表示選自氫原子及烷基中的1種,R12表示具有或不具有取代基的芳香族基團,R13表示具有或不具有取代基的亞烷基,R14分別獨立地表示選自鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、硅烷基、硅醇基、硝基、亞硝基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦酸根基及有機基團中的1種,m表示0~3的整數,
并且,該聚酰胺酸溶液的粘度為5~150cps。
7.一種感光性組合物,其特征在于,
含有權利要求6所述的聚酰胺酸溶液和感光劑。
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