[發明專利]晶片加工用帶

在審

• 申請號: 201780007128.2
• 申請日: 2017-02-23
• 公開（公告）號: CN108541338A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 大田鄉史;阿久津晃
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;C09J201/00;C09J7/20
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 龔敏;王剛

提供一種晶片加工用帶，在將進行了預切割加工的晶片加工用帶以輥的狀態存放時，能抑制標簽部與晶片加工用帶的背面的粘連，且能良好地從輥的狀態將標簽部抽出。上述晶片加工用帶的特征在于，具有：長條的脫模膜(11)；粘合膜(12)，其具有標簽部(12a)和包圍標簽部(12a)的外側的周邊部(12b)，標簽部(12a)設置在脫模膜(11)的第1面(11a)上，且具有與環框(R)對應的規定形狀；以及支承部件(13)，其設置在脫模膜(11)的短邊方向的兩端部，且設置在脫模膜(11)的與設置有粘合膜(12)的第1面(11a)相反的第2面(11b)上，粘合膜(12)的與脫模膜(11)不接觸的一側的算術表面粗糙度Ra為0.3μm以下，支承部件(13)的厚度為30～150μm。

技術領域

本發明涉及一種晶片加工用帶，特別是涉及將半導體晶片等切斷分離(切割)并單片化為芯片狀時使用的晶片加工用帶。

背景技術

在將半導體晶片等被加工物單片化為芯片狀的情況下，用晶片加工用帶將被加工物固定并通過旋轉刀片或激光進行分割。另外，近年來也使用如下的方法：在半導體晶片的內部利用激光設置被稱為改性層的脆弱部位，利用晶片加工用帶將設置有該改性層的半導體晶片固定，通過拉伸擴展晶片加工用帶，以改性層為起點將半導體晶片切斷而進行單片化。

以往，對如上所述的晶片加工用帶所要求的性能是加工時的固定性好、以及加工后剝離晶片加工用帶時對被加工物沒有污染等。然而，近年來，為了確認加工后的品質，從貼合有晶片加工用帶的面對芯片的狀態等進行目視確認。另外，在如上所述，在通過激光在半導體晶片的內部形成改性層時，在來自半導體晶片的未貼合晶片加工用帶的面、即電路面的激光照射由于該電路圖案而比較困難的情況下，從貼合有晶片加工用帶一側的面穿過晶片加工用帶而進行激光照射。在這種情況下，對晶片加工用帶所要求的性能是能充分透過可見光或者近紅外光。

作為使可見光或者近紅外光充分透過的方法，公開有將晶片加工用帶背面的表面粗糙度Ra調整為0.3μm以下的方法(例如，專利文獻1)。但是，晶片加工用帶一般具有長條的薄膜形狀，并以卷繞為輥狀的卷繞體的狀態存放。這樣，在以卷繞體的狀態存放晶片加工用帶的情況下，若將晶片加工用帶背面的表面粗糙度Ra設得過小，則卷繞重疊的晶片加工用帶彼此容易粘在一起，在使用晶片加工用帶時，將之從卷繞體抽出時容易發生被稱為粘連的卡掛。因此，在專利文獻1中，公開了為了抑制該粘連而優選將晶片加工用帶背面的表面粗糙度Ra設為0.1μm以上的技術方案。

此處，作為晶片加工用帶，考慮向晶片的粘貼、切割時向環框的安裝等的操作性，也存在實施了預切割加工的晶片加工用帶。圖2以及圖3示出了進行了預切割加工的切割帶的例子。圖2、圖3的(a)、圖3的(b)分別是切割帶50的立體圖、俯視圖、剖視圖。晶片加工用帶50由脫模膜51與粘合膜52構成。粘合膜52具有：標簽部52a，其具有與切割用的環框的形狀對應的圓形形狀；周邊部52b，其包圍該標簽部52a的外側。在標簽部52a的周圍，不存在粘合膜52，存在僅為脫模膜51的部分。

在切割晶片時，將粘合膜52的標簽部52a從脫模膜51剝離，如圖4所示，粘貼半導體晶片W的背面，并將切割用的環框R粘合固定到粘合膜52的外周部。在該狀態下對半導體晶片W進行切割，之后，在粘合膜52實施紫外線照射等硬化處理并拾取半導體芯片。此時，粘合膜52因硬化處理而粘合力降低，因此，半導體芯片容易剝離。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-15236號公報

發明內容

發明所要解決的課題