[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板以及半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780006921.0
• 申請日: 2017-01-18
• 公開（公告）號: CN108475710B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大纮太郎;筱塚啟;八田嘉久
• 申請（專利權(quán)）人: 王子控股株式會社
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;C30B25/04;H01L21/203;H01L21/205
• 代理公司: 上海和躍知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31239
• 代理人: 余文娟

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板，具備：

基準(zhǔn)面，所述基準(zhǔn)面包含與構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的材料的結(jié)晶面平行的平坦面；以及

多個凸部，所述多個凸部從所述基準(zhǔn)面突出，并在沿著所述結(jié)晶面的二維晶格上排列，并且作為前端面具有與所述結(jié)晶面平行的平坦面，

在包含所述基準(zhǔn)面的平面中的互相相鄰的所述凸部的間距P為100nm以上且5.0μm以下，

在與所述基準(zhǔn)面相對向的俯視中，單位面積中的所述前端面的合計面積為第1面積S1，所述單位面積中的所述基準(zhǔn)面的合計面積為第2面積S2時，

滿足2.09≦S1/S2≦7.42。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板，其中，

與所述前端面平行的方向中的所述前端面的最大寬度是前端寬度Lb，

所述前端寬度Lb和所述間距P滿足0.50≦Lb/P≦0.88。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板，其中，

在與所述前端面平行的方向中的所述凸部中的基端的最大寬度是基端寬度La，并且所述凸部的突出方向中的從所述基端到所述前端面為止的距離是凸部高度H時，

滿足0.01≦H/La≦1.0。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板，其中，

在與所述前端面平行的方向中的所述凸部中的基端的最大寬度是基端寬度La，并且所述凸部的突出方向中的從所述基端到所述前端面為止的距離是凸部高度H時，

滿足0.01≦H/La≦1.0。

5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板，其中，

所述凸部的形狀是錐臺狀。

6.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，具備：

將與構(gòu)成基板的材料的結(jié)晶面平行的平坦面作為處理面，在所述基板具備的所述處理面上形成掩模的工序；以及

通過使用所述掩模進行的所述處理面的蝕刻，在所述基板上形成多個凸部和基準(zhǔn)面的工序，所述凸部作為前端面具有作為在所述處理面中的被所述掩模覆蓋的部分之平坦面并沿著所述結(jié)晶面在二維晶格上排列，所述基準(zhǔn)面是作為互相相鄰的所述凸部的間隙之凹部中的底面，包含與所述結(jié)晶面平行的平坦面，

將在包含所述基準(zhǔn)面的平面中的互相相鄰的所述凸部的間距設(shè)為100nm以上且5.0μm以下，

在形成所述凸部和所述基準(zhǔn)面的工序中，在與所述基準(zhǔn)面相對向的俯視中，單位面積中的所述前端面的合計面積是第1面積S1，所述單位面積中的所述基準(zhǔn)面的合計面積是第2面積S2時，設(shè)為

2.09≦S1/S2≦7.42。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件用基板的制造方法，其中，

在形成所述掩模的工序中，通過將多個微粒子排列成層狀的單粒子膜形成于所述處理面，從而將所述單粒子膜作為所述掩模。