[發明專利]等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201780005753.3
• 申請日: 2017-01-04
• 公開（公告）號: CN108475633A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 徐相勛;鄭成炫
• 申請（專利權）人: 威特爾有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/683;H01L21/687;H05H1/46;H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 王新春;曹正建

1.一種等離子體處理裝置，其包括：

靜電吸盤，所述靜電吸盤被配置成吸附和保持晶片；

聚焦環，所述聚焦環設置成包圍所述靜電吸盤的上邊緣；

絕緣管，所述絕緣管設置成覆蓋所述靜電吸盤的側表面；和

導電管，所述導電管設置成覆蓋所述絕緣管，

其中，

所述聚焦環設置成在靜電吸盤凹陷部、所述絕緣管的上端和所述導電管的上端上延伸，所述靜電吸盤凹陷部在所述靜電吸盤的邊緣凹陷成環形形狀；

所述聚焦環包括由絕緣體形成的外環和埋在所述外環內的內部導電環；

所述外環包括具有第一高度的第一外環、具有與所述第一外環相同的底表面并逐漸增加高度以具有傾斜表面的第二外環和具有與所述第二外環相同的底表面并具有第二高度的第三外環；

所述內部導電環包括埋在所述第一外環內并平坦延伸的第一內部導電環、與所述第一內部導電環連續連接以傾斜延伸并埋在所述第二外環內的第二內部導電環和與所述第二內部導電環連續連接以平坦延伸并埋在所述第三外環內的第三內部導電環；

所述內部導電環與施加于所述靜電吸盤的RF功率電容耦合以調節與所述聚焦環接觸的等離子體的鞘的電壓結構；

所述晶片設置成在所述第一外環的上表面上延伸；以及

所述外環的上表面與所述內部導電環的上表面之間的距離是恒定的。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，

所述聚焦環進一步包括從所述外環的底表面向下突出的環形形狀的聚焦環連結部，以及

所述聚焦環連結部插入并固定在形成于所述絕緣管的上表面上的環形形狀的凹陷部中。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，

所述外環的上表面與所述內部導電環的上表面之間的距離小于或等于3mm。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，

所述外環的上表面與所述內部導電環的上表面之間的距離小于或等于設置在所述靜電吸盤中包含的RF電極上的介電材料的厚度。

5.一種等離子體處理裝置，其包括：

靜電吸盤，所述靜電吸盤被配置成吸附和保持晶片；

聚焦環，所述聚焦環設置成包圍所述靜電吸盤的上邊緣；

絕緣管，所述絕緣管設置成覆蓋所述靜電吸盤的側表面；和

導電管，所述導電管設置成覆蓋所述絕緣管，

其中，

所述聚焦環設置成在所述靜電吸盤的上邊緣、所述絕緣管的上端和所述導電管的上端上延伸；

所述聚焦環包括由絕緣體形成的外環和埋在所述外環內的內部導電環；

所述外環包括具有第一高度的第一外環和具有與所述第一外環相同的上表面并具有大于所述第一高度的第二高度的第二外環；

所述內部導電環包括埋在所述第一外環內的平坦的第一內部導電環、與所述第一內部導電環連續連接并埋在所述第二外環內的第二內部導電環和垂直于所述第一內部導電環與所述第二內部導電環之間的邊界延伸并埋在所述第二外環內的第三內部導電環；

所述內部導電環與施加于所述靜電吸盤的RF功率電容耦合以調節與所述聚焦環接觸的等離子體的鞘的電壓結構；以及

所述外環的上表面與所述第一內部導電環和所述第二內部導電環的上表面之間的距離是恒定的。

6.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其中，

所述聚焦環進一步包括從所述第二外環的底表面向下突出的環形形狀的聚焦環連結部；以及

所述聚焦環連結部插入并固定在形成于所述絕緣管的上表面上的環形形狀的凹陷部中。

7.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其中，

所述外環的上表面與所述第一內部導電環和所述第二內部導電環的上表面之間的距離小于或等于3mm。

8.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其中，

所述外環的上表面與所述第一內部導電環和所述第二內部導電環的上表面之間的距離小于或等于設置在所述靜電吸盤中包含的RF電極上的介電材料的厚度。