[發明專利]碳化硅半導體裝置

有效

• 申請號: 201780005511.4
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN108475704B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 山田昭治
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金玉蘭;王穎

1.一種碳化硅半導體裝置，其特征在于，具備：

第一導電型的半導體基板，其由碳化硅構成；

有源區，其設置在所述半導體基板的正面，供主電流流過；

多個第二導電型半導體區域，其以圍繞所述有源區的周圍的同心圓形的方式并且以越配置在外側雜質濃度越低的方式選擇性地設置；

第二導電型的第一中間區域，其設置在相鄰的所述第二導電型半導體區域之間，并與相鄰的所述第二導電型半導體區域分別相互接觸，并且所述第一中間區域的雜質濃度比與所述第一中間區域的內側鄰接的所述第二導電型半導體區域的雜質濃度低，比與所述第一中間區域的外側鄰接的所述第二導電型半導體區域的雜質濃度高；以及

第二導電型的第二中間區域，其設置為與最外側的所述第二導電型半導體區域相比更靠外側，并與該第二導電型半導體區域接觸，并且所述第二中間區域的雜質濃度比與所述第二中間區域的內側鄰接的所述第二導電型半導體區域的雜質濃度低，比所述半導體基板的雜質濃度高，

所述第一中間區域和所述第二中間區域分別以圍繞在內側鄰接的所述第二導電型半導體區域的周圍的同心圓形的方式從內側起使第二導電型的第一小區域、和雜質濃度比所述第一小區域的雜質濃度高的第二導電型的第二小區域交替反復配置而成，

所述第二中間區域的長度大于所述第一中間區域的長度。

2.根據權利要求1記載的碳化硅半導體裝置，其特征在于，所述第一中間區域的長度大于或等于與該第一中間區域的內側相鄰的所述第一中間區域的長度。

3.根據權利要求1記載的碳化硅半導體裝置，其特征在于，所述第二導電型半導體區域的長度大于與該第二導電型半導體區域的內側相鄰的所述第二導電型半導體區域的長度。

4.根據權利要求3記載的碳化硅半導體裝置，其特征在于，相鄰的所述第二導電型半導體區域彼此的長度的差值全部相等。

5.根據權利要求1記載的碳化硅半導體裝置，其特征在于，所述第一中間區域的所述第一小區域具有與所述第一中間區域的外側鄰接的所述第二導電型半導體區域相同的雜質濃度。

6.根據權利要求1記載的碳化硅半導體裝置，其特征在于，所述第二中間區域的所述第一小區域具有與所述半導體基板的雜質濃度相同的雜質濃度。

7.根據權利要求1記載的碳化硅半導體裝置，其特征在于，所述第一中間區域的所述第二小區域具有與在所述第一中間區域的內側鄰接的所述第二導電型半導體區域相同的雜質濃度，所述第二中間區域的所述第二小區域具有與在所述第二中間區域的內側鄰接的所述第二導電型半導體區域相同的雜質濃度。

8.根據權利要求1～7中任意一項記載的碳化硅半導體裝置，其特征在于，還具備表面保護膜，其設置在所述半導體基板的正面，并且覆蓋所述第二導電型半導體區域、所述第一中間區域和所述第二中間區域，

所述表面保護膜的厚度在根據用于形成所述表面保護膜的材料的粘度在1次涂布工序中能夠形成的最大厚度以上。