[發(fā)明專利]形成抗蝕劑圖案的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780004501.9 | 申請日： | 2017-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN108369378B | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 星野學 | 申請（專利權）人： | 日本瑞翁株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/039 | 分類號： | G03F7/039;G03F7/20;G03F7/32;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 趙曦;劉繼富 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 抗蝕劑 圖案 方法 | ||
1.一種形成抗蝕劑圖案的方法，包含以下工序：
使用正性抗蝕劑組合物而形成抗蝕劑膜的工序；
對所述抗蝕劑膜進行曝光的工序；以及
對所述曝光了的抗蝕劑膜進行顯影的工序，
使用表面張力為17mN/m以下的顯影液而進行所述顯影，所述顯影液包含氟系溶劑，
所述正性抗蝕劑組合物包含聚合物和溶劑，所述聚合物具有下述通式(I)所示的單體單元A和下述通式(II)所示的單體單元B，所述單體單元A和所述單體單元B的至少一者具有一個以上氟原子，
式(I)中，R1為氯原子、氟原子或被氟原子取代的烷基，R2為非取代的烷基或被氟原子取代的烷基，R3和R4為氫原子、氟原子、非取代的烷基或被氟原子取代的烷基，可以彼此相同也可以不同，
式(II)中，R5、R6、R8及R9為氫原子、氟原子、非取代的烷基或被氟原子取代的烷基，可以彼此相同也可以不同，R7為氫原子、非取代的烷基或被氟原子取代的烷基，p和q為0以上且5以下的整數(shù)，p+q＝5，
所述聚合物的重均分子量為22000以上且110000以下。
2.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕劑圖案的方法，其中，
所述顯影液為CF3CFHCFHCF2CF3。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的形成抗蝕劑圖案的方法，其中，
所述R1為氯原子。
4.根據(jù)權利要求3所述的形成抗蝕劑圖案的方法，其中，
所述R2為被氟原子取代的烷基，
所述R3和R4為氫原子或非取代的烷基。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的形成抗蝕劑圖案的方法，其中，
所述R5～R9為氫原子或非取代的烷基，所述單體單元A具有一個以上氟原子。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的形成抗蝕劑圖案的方法，其中，
顯影時間為3分鐘以上且5分鐘以下。
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