[發明專利]液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201780004139.5
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN108780255B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 千田滿;山本惠美
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;習冬梅

提供一種抑制驅動電壓的上升并降低殘影現象的液晶顯示裝置。液晶顯示裝置(10)是具有在以夾著液晶層(3)而對置的一對基板中的一個基板(1)上，隔著第一絕緣層(6)重疊并層疊的上層電極(4)及下層電極(5)，在上層電極(4)中，形成開口部的端面與一個基板(1)形成平均傾斜角度為小于30度的正錐度形狀。

技術領域

本發明是關于液晶顯示裝置，更詳細地，是關于FFS(Frin ge Field Switching)模式的液晶顯示裝置。

背景技術

在液晶顯示裝置中，為了獲得優秀的視角特性，提出利用橫電場來控制液晶分子的IPS(In Plane Switching)模式來代替利用縱電場來控制液晶分子的TN(TwistedNematic)模式。然而，這種IPS模式與TN模式相比，會有光利用效率低的問題點。

在此，為了改善IPS模式中的光利用效率，提出FFS(Frin ge Field Switching)模式(專利文獻1)。這種FFS模式是在夾著液晶層的一對基板中的一個基板上，隔著絕緣層重疊地設置上層電極與下層電極，利用通過在上層電極與下層電極之間施加電壓而在上層電極與下層電極之間產生的傾斜方向的電場(所謂Fring e電場:邊緣電場)來控制液晶分子。

在這種FFS模式中，上層電極及下層電極均由具有ITO等的透光性的導電膜形成，并且也可以控制上層電極上部的液晶，因此與IPS模式相比，可以提高光的透射率。另外，FFS模式也具有電場強度大，與IPS比較可以降低驅動電壓的優點。

然而，在電場強度大的FFS模式中，與IPS模式相比，殘影(燒屏)現象顯著。殘影現象是一種使液晶顯示裝置長時間顯示相同圖像后，顯示其他圖像時，之前顯示的圖像對之后的圖像有影響的現象，是造成顯示性能降低的一個因素。

提出了為降低這樣的殘影現象的對策。例如，在專利文獻2中，提出了在夾著液晶層的一對基板中的一個基板上配置電極群、絕緣膜及取向膜，將絕緣膜的厚度與取向膜的厚度之和設為大于0.5μm且小于3μm，由此降低殘影現象的方法。

另外，如IPS模式及FFS模式，在與基板面大致平行的面內，旋轉液晶分子來控制的橫電場方式中，除了在TN模式中見到的由電荷的殘留而產生殘影現象之外，還產生橫電場方式特有的殘影現象。橫電場方式特有的殘影現象的原因認為是由于液晶分子扭曲變形產生的旋轉扭矩，而控制液晶分子的取向的取向膜表面發生彈性變形或是塑性變形，而這些作為圖像的殘影(燒屏)出現。

作為降低該橫電場方式特有的殘影現象的對策有使用高彈性率的取向膜及減輕電場集中。專利文獻3及4中提出了具體的所述對策。

例如，在專利文獻3中，提出了通過增大取向膜的彈性率，因液晶分子的扭曲變形而產生的旋轉扭矩減小了對取向膜的影響，且降低殘影現象的方法。

另外，在專利文獻4中，提出了在上層電極與取向膜之間設有上層絕緣層，同時，通過將該上層絕緣層的介電常數設為大于上層電極與下層電極之間的絕緣層的介電常數，緩和電場集中且降低殘影現象的方法。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本國公開專利公報特開2000-89255號公報(2000年3月31日公開)

專利文獻2:日本國公開專利公報特開2001-194670號公報(2001年7月19日公開)

專利文獻3:日本國公開專利公報特開平10-319406號公報(1998年12月4日公開)

專利文獻4:日本國公開專利公報特開2003-29247號公報(2003年1月29日公開)

發明內容

本發明所要解決的技術問題