[發(fā)明專利]穩(wěn)壓器以及電源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780002241.1 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110100219B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 杜微;張均軍 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市匯頂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京合智同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11545 | 代理人: | 李杰 |
| 地址: | 518045 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 穩(wěn)壓器 以及 電源 | ||
1.一種穩(wěn)壓器,其特征在于,包括:運算放大器以及失調(diào)電壓控制模塊,所述穩(wěn)壓器應(yīng)用于電源;
運算放大器具有輸入端以及輸出端,所述運算放大器用于根據(jù)從所述輸入端接入的基準電壓生成從輸出端輸出的輸出電壓;
失調(diào)電壓控制模塊,包括一級或并聯(lián)的多級基于晶體管的調(diào)整支路,用于通過所述調(diào)整支路的選擇控制所述運算放大器的失調(diào)電壓,以調(diào)整所述輸出電壓;
所述調(diào)整支路包括調(diào)整元件以及調(diào)整開關(guān),所述調(diào)整支路與所述運算放大器內(nèi)部影響失調(diào)電壓的元器件連接,通過控制所述調(diào)整開關(guān)的導(dǎo)通控制所述調(diào)整支路的導(dǎo)通,進而將導(dǎo)通的所述調(diào)整支路的所述調(diào)整元件接入所述運算放大器,以控制所述運算放大器的失調(diào)電壓;
所述調(diào)整元件具體為MOS管;
所述失調(diào)電壓控制模塊包括多級調(diào)整支路時,所述調(diào)整支路的MOS管的寬長比按照預(yù)設(shè)規(guī)律遞增設(shè)置,以控制所述失調(diào)電壓的變化趨勢,預(yù)設(shè)規(guī)律為調(diào)整支路的MOS管的寬長比按照從左到右的順序遞增,從而:
當控制多個調(diào)節(jié)分支的調(diào)節(jié)開關(guān)從左到右依次閉合時,運算放大器的失調(diào)電壓增大,相應(yīng)地運算放大器的輸出電壓減小;和/或,
當控制多個調(diào)節(jié)分支的調(diào)節(jié)開關(guān)從右向左依次打開時,運算放大器的失調(diào)電壓減小,相應(yīng)地運算放大器的輸出電壓增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓器,其特征在于,不同的所述調(diào)整支路的MOS管的寬長比按照預(yù)設(shè)步長遞增設(shè)置,以控制所述失調(diào)電壓成線性變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓器,其特征在于,所述失調(diào)電壓控制模塊的每一級調(diào)整支路中的調(diào)整開關(guān)全部斷開時,所述失調(diào)電壓為0V。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓器,其特征在于,所述運算放大器包括差分輸入對管,所述差分輸入對管中的至少其一與所述失調(diào)電壓控制模塊中的任一一級或者多級調(diào)整支路并聯(lián),以通過所述失調(diào)電壓控制模塊中任一一級或者多級調(diào)整支路控制所述差分輸入對管的電壓差,進而控制所述運算放大器的失調(diào)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓器,其特征在于,還包括:帶隙基準產(chǎn)生電路,用于產(chǎn)生與溫度系數(shù)無關(guān)的基準電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的穩(wěn)壓器,其特征在于,所述帶隙基準產(chǎn)生電路包括以下之一:基于ΔVGS的全CMOS基準的抵消結(jié)構(gòu)的帶隙基準產(chǎn)生電路、基于PTAT單元與VGS的全CMOS基準的抵消結(jié)構(gòu)的帶隙基準產(chǎn)生電路、基于PTAT單元與BJT的相互補償結(jié)構(gòu)的帶隙基準產(chǎn)生電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的穩(wěn)壓器,其特征在于,所述基于PTAT單元與BJT的相互補償結(jié)構(gòu)的帶隙基準產(chǎn)生電路包括:
BJT管,用于通過所述BJT管的基極-發(fā)射極之間的電壓生成具有正溫度系數(shù)的電壓;
基于MOS管的PTAT單元,用于利用工作在亞閾值區(qū)的MOS管生成具有負溫度系數(shù)的電壓;
所述BJT管的發(fā)射極以及所述PTAT單元通過電流單元與驅(qū)動電壓連接,以使得所述BJT管以及所述PTAT單元的具有預(yù)設(shè)的偏置電流,進而使得所述正溫度系數(shù)的電壓以及所述負溫度系數(shù)的電壓相互補償,生成與溫度系數(shù)無關(guān)的所述基準電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的穩(wěn)壓器,其特征在于,所述基于PTAT單元與BJT的相互補償結(jié)構(gòu)的帶隙基準產(chǎn)生電路包括:n組PTAT單元以及n個BJT管,每個BJT管產(chǎn)生的正溫度系數(shù)的電壓與每組PTAT單元產(chǎn)生的負溫度系數(shù)的電壓相互補償,以使生成的所述基準電壓為n倍帶隙基準電壓。
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