[發(fā)明專利]陣列基板、顯示裝置和制造陣列基板的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780001151.0
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN109863598A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曲連杰;春曉改;高雪;趙合彬;石廣東;劉帥;齊永蓮;貴炳強
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 劉悅晗;陳源

本申請公開了一種陣列基板、顯示裝置和制造陣列基板的方法。該陣列基板具有多個第一底柵型薄膜晶體管和多個第二底柵型薄膜晶體管，多個第一底柵型薄膜晶體管中的每一個包括金屬氧化物有源層，多個第二底柵型薄膜晶體管中的每一個包括硅有源層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)，更具體地，涉及陣列基板、顯示裝置和制造陣列基板的方法。

背景技術(shù)

陣列基板通常包括在其顯示區(qū)中的多個子像素，所述多個子像素中的每一個由薄膜晶體管控制用于圖像顯示。陣列基板的各種驅(qū)動電路通常設(shè)置在陣列基板的外圍區(qū)中。這些驅(qū)動電路也包括其操作所需的薄膜晶體管。

發(fā)明內(nèi)容

一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，其具有多個第一底柵型薄膜晶體管和多個第二底柵型薄膜晶體管，所述多個第一底柵型薄膜晶體管中的每一個包括金屬氧化物有源層，所述多個第二底柵型薄膜晶體管中的每一個包括硅有源層。

可選地，陣列基板包括：底部襯底；柵極層，其位于底部襯底上，并且包括分別用于所述多個第一底柵型薄膜晶體管的多個第一柵極以及分別用于所述多個第二底柵型薄膜晶體管的多個第二柵極；柵絕緣層，其位于柵極層的遠離底部襯底的一側(cè)；金屬氧化物層，其包括分別用于所述多個第一底柵型薄膜晶體管的多個金屬氧化物有源層，所述多個金屬氧化物有源層中的每一個位于柵絕緣層的遠離所述多個第一柵極之一的一側(cè)；以及多晶硅層，其包括分別用于所述多個第二底柵型薄膜晶體管的多個多晶硅有源層，所述多個多晶硅有源層中的每一個位于柵絕緣層的遠離所述多個第二柵極之一的一側(cè)。

可選地，陣列基板還包括：位于多晶硅層的遠離柵絕緣層的一側(cè)的第一絕緣層；以及位于金屬氧化物層的遠離第一絕緣層的一側(cè)的第二絕緣層；其中，第一絕緣層位于多晶硅層與金屬氧化物層之間。

可選地，陣列基板還包括源漏極層，所述源漏極層包括多個第一源極、多個第一漏極、多個第二源極和多個第二漏極；所述多個金屬氧化物有源層中的每一個通過延伸通過第二絕緣層的過孔電連接至所述多個第一源極之一和所述多個第一漏極之一；并且所述多個多晶硅有源層中的每一個通過延伸通過第一絕緣層和第二絕緣層的過孔電連接至所述多個第二源極之一和所述多個第二漏極之一。

可選地，陣列基板還包括：位于源漏極層的遠離第二絕緣層的一側(cè)的鈍化層；位于鈍化層的遠離源漏極層的一側(cè)的第一電極層；以及位于第一電極層的遠離底部襯底的一側(cè)的第二電極層；其中，第一電極層和第二電極層是選自像素電極層和公共電極層的兩個不同的層。

可選地，陣列基板還包括第一電極層和第二電極層，第一電極層和第二電極層是選自像素電極層和公共電極層的兩個不同的層；其中，第一電極層與柵極層位于同層；并且柵絕緣層位于柵極層和第一電極層的遠離底部襯底的一側(cè)。

可選地，陣列基板還包括：位于金屬氧化物層和多晶硅層的遠離柵絕緣層的一側(cè)的源漏極層；源漏極層包括多個第一源極、多個第一漏極、多個第二源極和多個第二漏極；所述多個金屬氧化物有源層中的每一個電連接至所述多個第一源極之一和所述多個第一漏極之一；并且所述多個多晶硅有源層中的每一個電連接至所述多個第二源極之一和所述多個第二漏極之一。

可選地，所述多個第一底柵型薄膜晶體管為背溝道蝕刻型薄膜晶體管。

可選地，陣列基板還包括：位于多晶硅層的遠離柵絕緣層的一側(cè)的第一絕緣層；其中，第一絕緣層位于多晶硅層與金屬氧化物層之間；并且所述多個多晶硅有源層中的每一個通過延伸通過第一絕緣層的過孔電連接至所述多個第二源極之一和所述多個第二漏極之一。

可選地，陣列基板還包括：位于源漏極層的遠離柵絕緣層的一側(cè)的鈍化層；其中，第二電極層位于鈍化層的遠離源漏極層的一側(cè)。

可選地，所述多個第一底柵型薄膜晶體管位于顯示區(qū)中，所述多個第二底柵型薄膜晶體管位于外圍區(qū)中。