[發(fā)明專利]包含在存儲器單元中建立負(fù)本體電位的設(shè)備及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780000908.4
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN108463852B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 作井浩司;M·霍斯;丹沢徹;J·賓福特
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/30;G11C16/04;H01L27/11514
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

設(shè)備及操作此種設(shè)備的方法包含在對存儲器單元起始感測操作之前、響應(yīng)于計時器或在另一存儲器單元的存取操作期間，在所述存儲器單元的本體中建立負(fù)電位。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般來說涉及存儲器，且特定來說，在一或多個實施例中，本發(fā)明涉及包含例如在執(zhí)行感測操作之前在存儲器單元中建立負(fù)本體電位的設(shè)備及方法。

背景技術(shù)

存儲器裝置通常提供為計算機或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路裝置。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)及快閃存儲器。

快閃存儲器裝置已開發(fā)成用于寬廣范圍的電子應(yīng)用的非易失性存儲器的普遍來源?？扉W存儲器裝置通常使用允許高存儲器密度、高可靠性及低電力消耗的單晶體管存儲器單元。通過數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)(例如，浮動?xùn)艠O或電荷阱)的編程(其通常稱為寫入)或其它物理現(xiàn)象(例如，相變或極化)，存儲器單元的閾值電壓(Vt)的改變確定每一存儲器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，數(shù)據(jù)值)?？扉W存儲器及其它非易失性存儲器的常見常用途包含：個人計算機、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機、數(shù)字媒體播放器、數(shù)字記錄器、游戲機、電器、交通工具、無線裝置、移動電話及可裝卸式存儲器模塊，且非易失性存儲器的用途不斷擴大。

NAND快閃存儲器是常見類型的快閃存儲器裝置，所述NAND快閃存儲器是針對基本存儲器單元配置所布置成的邏輯形式而如此命名的。通常，NAND快閃存儲器的存儲器單元陣列經(jīng)布置使得所述陣列的行的每一存儲器單元的控制柵極連接在一起以形成存取線，例如字線。所述陣列的列包含在一對選擇柵極(例如，源極選擇晶體管與漏極選擇晶體管)之間串聯(lián)連接在一起的存儲器單元的串(通常稱作NAND串)。每一源極選擇晶體管可連接到源極，而每一漏極選擇晶體管可連接到數(shù)據(jù)線，例如列位線。在存儲器單元的串與源極之間及/或存儲器單元的串與數(shù)據(jù)線之間使用多于一個選擇柵極的變化形式為已知的。

附圖說明

圖1是根據(jù)一實施例的作為電子系統(tǒng)的一部分與處理器進行通信的存儲器的經(jīng)簡化框圖。

圖2A到2C是如可用于參考圖1所描述的類型的存儲器中的存儲器單元陣列的部分的示意圖。

圖3A到3B是如可用于參考圖1所描述的類型的存儲器中的串聯(lián)連接存儲器單元串的橫截面圖。

圖4A到4F是串聯(lián)連接存儲器單元串的一部分的橫截面圖，其描繪移動離子的各種狀態(tài)以供在描述各種實施例時進行參考。

圖5A到5B是描繪根據(jù)實施例的操作存儲器的方法的時序圖。

圖6A到6B是根據(jù)實施例的操作存儲器的方法的流程圖。

圖7是描繪根據(jù)一實施例的操作存儲器的方法的時序圖。

圖8是根據(jù)一實施例的操作存儲器的方法的流程圖。

具體實施方式

在以下詳細(xì)描述中，參考形成本文的一部分的附圖，且附圖中以圖解說明的方式展示特定實施例。在圖式中，貫穿數(shù)個視圖，相同參考編號描述大體上類似組件。可利用其它實施例，且可在不背離本發(fā)明的范圍的情況下做出結(jié)構(gòu)、邏輯及電改變。因此，不應(yīng)在限制意義上理解以下詳細(xì)描述。

假定由于在電介質(zhì)(例如，二氧化硅(SiO₂))的形成期間的污染，因此陰離子存在于存儲器單元的柵極堆疊與隔離電介質(zhì)之間。這些離子可為移動的，且可在擦除之后或在不進行存取的長的數(shù)據(jù)保持周期之后被吸收到存儲器單元的本體(例如，一些存儲器單元結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體柱)上或其附近作為穩(wěn)定狀態(tài)。這些多余離子(例如，在鄰近存儲器單元的柵極電介質(zhì)與所述鄰近存儲器單元的本體之間的界面附近)的濃度可影響存儲器單元的有效閾值電壓，此可在感測所述存儲器單元的既定數(shù)據(jù)值時導(dǎo)致誤差。各種實施例尋求通過在感測所述存儲器單元之前(例如，緊接在感測所述存儲器單元之前、在周期性基礎(chǔ)上或在對其它存儲器單元進行存取操作期間)建立負(fù)本體電位而減輕此現(xiàn)象。