[實用新型]一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置

有效

• 申請號: 201721925351.9
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN208013081U
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 嚴輝;史珂;吳衛東;王雪敏;張永哲;仝文浩;鄒蕊矯;黎維華;宋雪梅
• 申請（專利權）人: 北京工業大學;中國工程物理研究院激光聚變研究中心
• 主分類號: G01N21/59
• 分類號: G01N21/59;G01R27/02
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 張立改

1.一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，包括太赫茲輻射源、準直擴束系統、樣品臺、太赫茲探測器、計算機、機械吸盤、返工片收集盒；所述太赫茲輻射源設置在最下方，太赫茲輻射源垂直向上輻射太赫茲波，所述準直擴束系統設置在太赫茲輻射源的正上方，所述太赫茲探測器設置在準直擴束系統正上方，太赫茲探測器與準直擴束系統之間有一段間距，太赫茲探測器的探頭朝下，用于接收太赫茲輻射，所述樣品臺設置在太赫茲探測器與準直擴束系統之間，能夠沿水平面移動，計算機與太赫茲探測器數據線相連，機械吸盤與計算機數據線連接，返工片收集盒獨立，所述機械吸盤和返工片收集盒均設置在樣品臺側方。

2.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，太赫茲輻射源為返波振蕩器、量子級聯激光器、自由電子激光器或二氧化碳激光抽運太赫茲輻射源中的一種。

3.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，準直擴束系統為開普勒型或伽利略型準直擴束系統。

4.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，樣品臺為中間具有圓孔的樣品臺，圓孔的直徑為2-8cm，并且樣品臺可沿一個方向水平傳送，樣品臺數量至少一個。

5.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，待測的硅片放在樣品臺上，太赫茲波穿過樣品臺上的圓孔輻射到硅片。

6.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，太赫茲探測器為微測輻射熱計、高萊探測器、熱釋電探測器、肖特基二極管探測器、場效應晶體管探測器或高電子遷移率晶體管探測器中的一種，探測頻率范圍為0.1-10THz，能測量入射太赫茲波的功率。

7.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，計算機采用USB、802.11b協議或TCP/IP協議與太赫茲探測器相連，用于記錄太赫茲波的透過率。

8.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，機械吸盤的直徑為2-10cm，用于將電阻率異常的硅片從樣品臺上取下，并放置在返工片收集盒內。

9.按照權利要求1所述的一種直接太赫茲無損檢測硅片透過率并進一步檢測電阻率的裝置，其特征在于，返工片收集盒設置在機械吸盤的工作范圍內，返工片收集盒的邊長為5-30cm，高度為10cm，能容納的硅片數量為100片。