[實用新型]平面高壓MOSFET功率晶體管有效
| 申請號： | 201721921704.8 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN207719217U | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發明（設計）人： | 龔利汀;易瓊紅;左勇強 | 申請（專利權）人： | 無錫固電半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 源區 外延層 柵氧化層 高壓MOSFET 功率晶體管 磷硅玻璃層 多晶硅層 襯底 金屬 背面金屬層 本實用新型 電場截止環 未覆蓋區域 表面形成 襯底背面 金屬層 連接源 溝道 耐壓 元胞 摻雜 外圍 覆蓋 | ||
1.一種平面高壓MOSFET功率晶體管，包括多個元胞，其特征在于：
包括N+型襯底(8)，在N+型襯底(8)上形成有N-型外延層(6)；
N-型外延層(6)上部形成有多個元胞的P型阱區(10)；P型阱區(10)的摻雜濃度由中央向兩側由濃到淡；
在N-型外延層(6)的正面最外圍形成有N+型電場截止環(7)；
在P型阱區(10)內兩側各形成N+型源區(5)；在P型阱區(10)和N+型源區(5)上方的表面形成有柵氧化層(4)，柵氧化層(4)上形成有多晶硅層(3)；
在多晶硅層(3)上方設有磷硅玻璃層(12)；
在N+型源區(5)頂部磷硅玻璃層(12)未覆蓋區域設有源區金屬(2)；源區金屬層(13)覆蓋在N-型外延層(6)正面，并連接源區金屬(2)；
在柵氧化層(4)下，N+型源區(5)與N-型外延層(6)之間的P型阱區(10)頂部形成溝道(1)；
在N+型襯底(8)背面設有背面金屬層(11)。
2.如權利要求1所述的平面高壓MOSFET功率晶體管，其特征在于，
P型阱區(10)的結深中間比兩側深。
3.如權利要求1所述的平面高壓MOSFET功率晶體管，其特征在于，
溝道(1)的長度L為1.5～1.6μm。
4.如權利要求1所述的平面高壓MOSFET功率晶體管，其特征在于，
多晶硅層(3)寬度為4～6μm。
5.如權利要求1所述的平面高壓MOSFET功率晶體管，其特征在于，
背面金屬層(11)為三層結構，與N+型襯底(8)相接的是鈦層，中間為鎳層，底層為銀層。
6.如權利要求5所述的平面高壓MOSFET功率晶體管，其特征在于，
背面金屬層(11)的鈦層、鎳層、銀層厚度分別為1500埃、5000埃、6000埃。
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