[實用新型]電池片及印刷網版有效
| 申請號: | 201721919376.8 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN207651495U | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發明(設計)人: | 陳輝;周平;董經兵;卞建飛 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;常熟阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司;鹽城大豐阿特斯陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;B41F15/36 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 秦蕾 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池片 主柵 正極柵線 副柵 硅片表面 覆蓋率 硅片 片區 本實用新型 電流傳輸 光伏組件 硅片邊緣 性能控制 印刷網版 均勻性 排布 制程 鄰近 印刷 | ||
本實用新型提供了一種電池片及印刷網版,所述電池片包括硅片及設置于硅片表面的正極柵線,所述正極柵線包若干主柵及副柵,所述主柵包括兩根鄰近硅片邊緣的最外側主柵,所述硅片包括位于所述最外側主柵外側的第一片區以及位于相鄰兩根所述主柵之間的第二片區,所述副柵在第一片區的覆蓋率大于所述副柵在第二片區的覆蓋率。本實用新型電池片通過增加第一片區的正極柵線的覆蓋率,以便于正極柵線的排布調節,利于后續光伏組件的制程及性能控制,同時保持硅片表面電流傳輸的均勻性,提高電池片性能。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池制造技術領域,尤其涉及一種電池片及印刷網版。
背景技術
現有晶體硅太陽能電池片多通過在硅片表面印刷、燒結制得的柵線電極收集電流,通過對柵線電極的優化設計,能夠提升電池片功率增益。從電池設計原理上講,主柵的數量越多,串阻損耗就越小。但增加主柵數量的同時,需要對應降低主柵的寬度,避免遮光面積增加而導致電池片的短路電流的減小,影響效率。
除此,電池片柵線電極中主柵的設計,一般需要遵循均分原則。如圖1所示,該電池片包括硅片10及設置在硅片表面的若干主柵21及垂直于所述主柵設置的副柵22。所述主柵包括兩根最外側主柵21';所述副柵22超出最外側主柵的長度設置為a;相鄰兩根主柵間距設置為c,a=c/2。藉此,確保電池片各區域電流傳輸的長度一致,提高電池片性能。上述正極柵線還具有倒角區域且所述倒角區域沿副柵方向的延伸距離設置為b,a>b。但對于多主柵(MBB)單晶硅電池片而言,可能出現b>c/2,如果主柵仍采用上述均分原則的話,最外側主柵可能會分布在倒角區域,對于后續光伏組件的制程控制非常不方便,亦會影響光伏組件的性能。因此,需要將最外側主柵朝電池片的中間部分移動至避開倒角區域,即使得a>c/2,電池片邊緣部分所生成的載流子在副柵上傳輸損耗較大,影響電池性能。
鑒于此,有必要提供一種新的電池片及印刷網版。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種電池片及印刷網版,便于后續光伏組件的制程及性能控制;還能夠保持電池片表面電流傳輸的均勻性,提高電池片的性能。
為實現上述實用新型目的,本實用新型提供了包括硅片及設置于硅片表面的正極柵線,所述正極柵線包若干主柵及副柵,所述主柵包括兩根鄰近硅片邊緣的最外側主柵,所述硅片包括位于所述最外側主柵外側的第一片區以及位于相鄰兩根所述主柵之間的第二片區,其特征在于:所述副柵在第一片區的覆蓋率大于所述副柵在第二片區的覆蓋率。
作為本實用新型的進一步改進,所述副柵包括垂直于所述主柵的第一副柵與第二副柵,所述第一副柵設置于第一片區,所述第二副柵設置于第二片區。
作為本實用新型的進一步改進,至少部分所述第一副柵沿主柵延伸方向的寬度大于第二副柵沿主柵延伸方向的寬度。
作為本實用新型的進一步改進,寬度大于第二副柵的部分所述第一副柵沿所述主柵的延伸方向均勻間隔分布。
作為本實用新型的進一步改進,所述第一副柵沿所述主柵延伸方向的分布密度大于所述第二副柵沿所述主柵延伸方向的分布密度。
作為本實用新型的進一步改進,所述第二副柵沿所述主柵延伸方向的寬度相一致。
作為本實用新型的進一步改進,所述正極柵線還包括沿所述硅片的邊緣呈環狀延伸的外廓柵線,所述外廓柵線依次連接所述主柵的末端及第一副柵的末端;所述第一片區及第二片區均位于所述外廓柵線內。
本實用新型還提供一種印刷網版,用于上述電池片的正極柵線的印刷,其包括絲網主體及設置于絲網主體表面的掩膜層,所述絲網主體形成有均勻排布的網孔,所述掩膜層遮掩所述絲網主體上的部分網孔,以形成透孔區及與所述透孔區相鄰的遮蔽區,所述透孔區與所述電池片的正極柵線的圖案相匹配。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





