[實用新型]一種最大功率點跟蹤系統及光伏充電系統

有效

• 申請號: 201721918284.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN207968046U
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 謝愛明;嚴超雄
• 申請（專利權）人: 深圳天岳創新科技有限公司
• 主分類號: H02J7/35
• 分類號: H02J7/35;H02J3/38
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 許銓芬

1.一種最大功率點跟蹤系統，其特征在于，包括輸入電容、升壓電路、輸出電容和逆變電路；

所述輸入電容、所述升壓電路和輸出電容并聯連接，且所述輸出電容與所述逆變電路連接；

所述輸入電容的正極用于與光伏組件的正極輸出端連接，所述輸入電容的負極用于與光伏組件的負極輸出端連接；所述升壓電路包括第一升壓模塊和第二升壓模塊，所述第一升壓模塊與所述第二升壓模塊并聯連接；

所述逆變電路為單相全橋結構。

2.根據權利要求1所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述第一升壓模塊包括功率電感L1、開關管Q1和二極管D3；

所述功率電感L1的一端連接所述輸入電容的正極連接，并且另一端連接所述開關管Q1的漏極和所述二極管D3的正極；

所述開關管Q1的柵極為所述第一升壓模塊的驅動輸入端，所述開關管Q1的源極連接所述輸入電容的負極；

所述二極管D3的負極連接所述輸出電容的正極。

3.根據權利要求2所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述第二升壓模塊包括功率電感L2、開關管Q2和二極管D4；

所述功率電感L2的一端連接所述功率電感L1的一端，并且另一端連接所述開關管Q2的漏極和所述二極管D4的正極；

所述開關管Q2的柵極為所述第二升壓模塊的驅動輸入端，所述開關管Q2的源極連接所述輸入電容的負極以及輸出電容的負極；

所述二極管D4的負極連接所述輸出電容的正極。

4.根據權利要求3所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述開關管Q1和開關管Q2均為碳化硅MOSFET；所述二極管D3和二極管D4為碳化硅二極管。

5.根據權利要求1所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述逆變電路由金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q3、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q4、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q5和金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q6組成的橋式結構電路；

所述逆變電路還包括RC吸收電路、RCD吸收電路或C吸收電路，所述RC吸收電路、RCD吸收電路或C吸收電路跨接在所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q3、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q4、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q5或金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q6中任意兩個金屬-氧化物半導體場效應晶體管之間，用于吸收所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q3、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q4、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q5或金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q6關斷時的浪涌電壓和續流二極管的反向恢復浪涌電壓，并減少所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q3、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q4、金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q5或金屬-氧化物半導體場效應晶體管Q6的開關損耗。

6.根據權利要求1所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述最大功率點跟蹤系統包括交流電抗器、保護電路或交流EMC濾波器，所述交流電抗器與所述逆變電路連接，所述保護電路與所述交流電抗器連接，所述交流EMC濾波器與所述保護電路連接。

7.根據權利要求1所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述最大功率點跟蹤系統還包括直流EMC濾波器，所述直流EMC濾波器的兩端分別與所述光伏組件的正極輸出端和負極輸出端連接。

8.根據權利要求1所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述最大功率點跟蹤系統還包括一級濾波電路，所述一級濾波電路包括濾波電感L3和濾波電感L4，所述逆變電路的兩個輸出端分別與所述濾波電感L3和濾波電感L4連接。

9.根據權利要求8所述的最大功率點跟蹤系統，其特征在于，所述一級濾波電路還包括濾波電感L3和電阻R1，所述濾波電感L3和電阻R1串聯在電網的L線上。

10.一種光伏充電系統，其特征在于，包括

光伏組件；

如權利要求1-9任一項所述的最大功率點跟蹤系統，所述最大功率點跟蹤系統與所述光伏組件連接；

蓄電池，所述蓄電池與所述最大功率點跟蹤系統連接；

處理單元，所述處理單元與所述最大功率點跟蹤系統連接；

電源穩壓模塊，所述電源穩壓模塊與所述處理單元連接。