[實用新型]一種驟回型瞬態電壓抑制器

有效

• 申請號: 201721917367.5
• 申請日: 2017-12-31
• 公開（公告）號: CN207781592U
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 吳昊;余曉明
• 申請（專利權）人: 深圳傲威半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙) 31298
• 代理人: 韓國輝

本實用新型提出一種驟回型瞬態電壓抑制器，包括襯底，襯底上具有外延層，外延層中具有N型隔離阱與P型隔離阱，N型隔離阱中具有P型重摻雜極，P型隔離阱中具有N型重摻雜極。N型隔離阱與P型隔離阱相互分隔，P型重摻雜極與N型重摻雜極相互隔離。該驟回型瞬態電壓抑制器的穿通電壓和轉折電壓都可調，在實際的應用中，當遇到脈沖和靜電時可以將受保護對象兩端的電壓鉗制到更低數值，起到更有效的保護作用，在確保工作電壓和漏電要求不變的前提下，讓轉折電壓容易調節，更有利地減小箝位電壓，增加抗浪涌能力。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件，尤其涉及一種驟回型瞬態電壓抑制器。

背景技術

當前驟回型瞬態電壓抑制器廣泛用于高速數據線的保護，其實現方式一般是利用雙極型器件的工作原理，來達到單PN結工藝無法達到的驟回特性。而驟回特性最大優勢在于極大的降低TVS產品的導通電阻，進而降低了TVS工作時的箝位電壓。當前結構的TVS為簡單的二極管電路，如圖1所示，有明顯的缺陷：

1、通過調節摻雜的濃度來獲得較低的擊穿電壓，在低擊穿電壓的情況下才有可能出現驟回現象，有時甚至需要借助輻照等處理方式才能獲得驟回；

2、即使獲得驟回，其驟回不是特別明顯，即轉折電壓Vsb(snapback voltage)和穿通電壓Vpt(punch through voltage)差別不大，箝位電壓(Vc)與非驟回型TVS相比沒有明顯減小；

3、其轉折電壓Vsb(snapback voltage)不容易調節。

因此，有必要對這種驟回型瞬態電壓抑制器進行結構優化，以克服上述缺陷。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種驟回型瞬態電壓抑制器，在確保工作電壓和漏電要求不變的前提下，讓轉折電壓容易調節，更有利地減小箝位電壓，增加抗浪涌能力。

本實用新型為解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種驟回型瞬態電壓抑制器，包括襯底，襯底上具有外延層，其中：

外延層中具有N型隔離阱與P型隔離阱，N型隔離阱中具有P型重摻雜極，P型隔離阱中具有N型重摻雜極。

N型隔離阱與P型隔離阱相互分隔，P型重摻雜極與N型重摻雜極相互隔離。

本實用新型的優點在于：

該驟回型瞬態電壓抑制器的穿通電壓和轉折電壓都可調，在實際的應用中，當遇到脈沖和靜電時可以將受保護對象兩端的電壓鉗制到更低數值，起到更有效的保護作用，在確保工作電壓和漏電要求不變的前提下，讓轉折電壓容易調節，更有利地減小箝位電壓，增加抗浪涌能力。

附圖說明

圖1是本實用新型提出的驟回型瞬態電壓抑制器的結構示意圖；

圖2是圖1的A-A剖視圖；

圖3是該驟回型瞬態電壓抑制器的等效電路；

圖4是該驟回型瞬態電壓抑制器的伏安特性曲線。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合圖示與具體實施例，進一步闡述本實用新型。

如圖1、圖2、圖3所示，本實用新型提出的驟回型瞬態電壓抑制器，包括襯底，襯底上具有外延層，外延層中具有N型隔離阱NWL與P型隔離阱PWL，N型隔離阱中具有P型重摻雜極P+，P型隔離阱中具有N型重摻雜極N+。N型隔離阱與P型隔離阱相互分隔，P型重摻雜極與N型重摻雜極相互隔離。