[實(shí)用新型]基于彎曲碳納米管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721907549.4
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN207676911U
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳江釵;吳澤文;龔奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻之微科技（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12
• 代理公司: 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266
• 代理人: 居瓅

1.一種基于彎曲碳鈉米管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括襯底(1)、柵極(2)、位于所述柵極(2)與所述襯底(1)之間的絕緣層(3)和位于所述柵極(2)兩側(cè)的源極(4)、漏極(5)，其特征在于，

彎曲的碳納米管從所述源極(4)穿過所述源極(4)與所述漏極(5)之間的溝道區(qū)(6)延伸到所述漏極(5)，所述絕緣層(3)覆蓋所述溝道區(qū)(6)中的碳納米管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述碳納米管的彎曲度為不大于45度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述碳納米管的彎曲度是30度至45度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述碳納米管的彎曲度是45度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述碳納米管為單根。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述碳納米管為多根，多根碳納米管的彎曲度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述碳納米管為單壁碳納米管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述碳納米管為多壁碳納米管。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述溝道區(qū)(6)為P型溝道區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括第一電極(7)和第二電極(8)，所述第一電極(7)與所述源極(4)連接，所述第二電極(8)與所述漏極(5)連接。