[實用新型]一種薄膜太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721907382.1 | 申請日: | 2017-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN208157419U | 公開(公告)日: | 2018-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張鑫根;劉小雨;何早陽;徐學(xué)東;趙子銘 | 申請(專利權(quán))人: | 凱盛光伏材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司: | 安徽省蚌埠博源專利商標事務(wù)所 34113 | 代理人: | 楊晉弘 |
| 地址: | 233010 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明導(dǎo)電窗口層 薄膜太陽能電池 膜層 本實用新型 金屬復(fù)合膜 透明導(dǎo)電層 方塊電阻 摻雜量 鋁基膜 鉬基 反射能力 光吸收層 背電極 傳統(tǒng)的 厚度比 緩沖層 透過率 波長 波段 襯底 基板 制作 | ||
本實用新型公開一種薄膜太陽能電池,由襯底、背電極、光吸收層、緩沖層組成的基板和透明導(dǎo)電窗口層組成,透明導(dǎo)電窗口層為金屬復(fù)合膜構(gòu)成的透明導(dǎo)電層,從底往上依次為鋁基膜層、鉬基膜層;鋁基膜層為Al:Nd,Nd的摻雜量0.01wt%?15wt%;鉬基膜層為Mo:NbOy,Nb的摻雜量為0.01wt%?15wt%;透明導(dǎo)電層厚10?100nm。本實用新型金屬復(fù)合膜透明導(dǎo)電窗口層在波長為300nm?1200nm的波段,透明導(dǎo)電窗口層的透過率為80%以上,方塊電阻小于10Ω/□。比傳統(tǒng)的透明導(dǎo)電窗口層AZO薄膜具有更低的方塊電阻、制作的膜層厚度比AZO薄很多,進而有效降低薄膜太陽能電池制作成本,同時對中遠紅外具有較強的反射能力,這可提高薄膜太陽能電池的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于薄膜太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,本實用新型具體涉及一種薄膜太陽能電池的金屬復(fù)合膜透明窗口層。
背景技術(shù)
在薄膜太陽能電池中,窗口層一般使用AZO,為了使窗口層具有較低的方塊電阻,通常需要較厚的AZO 膜層,一般400nm 的AZO膜的方阻在20Ω/□左右,更厚的900nm的AZO膜的方阻在7Ω/□左右,但是較厚的AZO膜層會使其可見光透過率降低,這就需要在這兩個方面進行平衡。為了獲得較低的方阻和較高的可見光透過率,在鍍AZO 膜層前還要先將基板加熱到至少200℃。一般薄膜光伏電池的AZO 透明導(dǎo)電膜層的厚度都要大于500nm,有的甚至超過1um。AZO 膜層對中遠紅外線的反射能力較弱,眾所周知,中遠紅外線是加熱效果明顯,薄膜電池在陽光的照射下,中遠紅外線會對薄膜電池的內(nèi)部進行加熱,使電池內(nèi)部溫度上升,這將會影響電池的性能。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有薄太陽能電池AZO透明導(dǎo)電膜層膜層厚、方塊電阻較高、對中遠紅外反射較弱的問題,提供一種具有低方塊電阻、具有較高的可見光透過率、較薄的膜厚、制作過程不用高溫,進而有效降低薄膜太陽能電池制作成本,同時具備較強的反射中遠紅外線功能的透明導(dǎo)電層來作為太陽能電池裝置的透明導(dǎo)電窗口層。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用了如下技術(shù)方案:
一種薄膜太陽能電池,包括由襯底、背電極、光吸收層、緩沖層組成的基板,在基板的緩沖層上面設(shè)有透明導(dǎo)電窗口層,其特征在于:透明導(dǎo)電窗口層為金屬復(fù)合膜構(gòu)成的透明導(dǎo)電層,透明導(dǎo)電層包括兩層膜層,從底往上依次為鋁基膜層、鉬基膜層;
所述鋁基膜層為Al:Nd即鋁釹合金,Nd的摻雜量為0.01wt%-15wt%;
所述鉬基膜層為Mo:NbOy即鉬鈮合金,Nb的摻雜量為0.01wt%-15wt%;
透明導(dǎo)電層厚度10-100nm。
進一步優(yōu)選的技術(shù)方案:透明導(dǎo)電層厚度優(yōu)選10-35nm,其中鋁基膜層的厚度優(yōu)選為5-25nm、鉬基膜層厚度優(yōu)選5-10nm。
在波長為300nm-1200nm 的波段,透明導(dǎo)電窗口層的透過率為80%以上,其方塊電阻小于10Ω/ □。
本實用新型還提供的一種薄膜太陽能電池,其制備方法如下:
(1).按常規(guī)方法制作由襯底、背電極、光吸收層、緩沖層組成的基板,基板為待鍍窗口層的薄膜電池;
(2).沉積金屬復(fù)合膜時,基板溫度控制在80℃-90℃;
(3).采用直流磁控濺射方法在基板上先后沉積5nm-25nm厚的鋁基膜層,再沉積5-10nm厚的鉬基膜層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





