[實(shí)用新型]一種新型電感式位移傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721907005.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207636016U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊忠義 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞市特馬電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01B7/02 | 分類號(hào): | G01B7/02;G01D5/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 523127 廣東省東莞市東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 繞組元件 柵格 標(biāo)尺 驅(qū)動(dòng)繞組 感測(cè) 位移傳感器 交叉纏繞 新型電感 測(cè)量 不均勻性 相對(duì)移動(dòng) 預(yù)設(shè)距離 柵格結(jié)構(gòu) 直接耦合 中心對(duì)齊 裝配間隙 偏移 傳感器 導(dǎo)電體 申請(qǐng) 失真 平行 削弱 | ||
1.一種新型電感式位移傳感器,其特征在于,包括標(biāo)尺和繞組元件,所述標(biāo)尺為具有兩行平行均勻分布的柵格結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電體,水平相鄰兩個(gè)柵格之間的間距為T(mén),上、下兩行柵格沿柵格分布方向相互偏移預(yù)設(shè)距離;所述標(biāo)尺沿所述柵格分布的方向與所述繞組元件相對(duì)移動(dòng);所述繞組元件面向所述標(biāo)尺;所述繞組元件包括第一繞組、第二繞組、第三繞組和第四繞組,其中:
所述第一繞組和所述第二繞組交叉纏繞構(gòu)成驅(qū)動(dòng)繞組元件,所述第三繞組和所述第四繞組交叉纏繞構(gòu)成兩個(gè)感測(cè)繞組元件;所述驅(qū)動(dòng)繞組和兩個(gè)感測(cè)繞組以長(zhǎng)度方向?yàn)闇?zhǔn)中心對(duì)齊;所述驅(qū)動(dòng)繞組元件覆蓋所述標(biāo)尺中部,兩個(gè)感應(yīng)繞組元件分別覆蓋所述標(biāo)尺兩側(cè),所述驅(qū)動(dòng)繞組元件和兩個(gè)感應(yīng)繞組元件共同覆蓋整個(gè)所述標(biāo)尺;所述第一繞組的末端和所述第二繞組的末端連接,所述第一繞組和所述第二繞組的公共端與電源負(fù)極連接;兩個(gè)感測(cè)繞組和所述驅(qū)動(dòng)繞組均具有沿所述柵格分布方向?yàn)?T的空間周期。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型電感式位移傳感器,其特征在于,所述標(biāo)尺上、下兩行柵格沿柵格分布方向相互偏移T/2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型電感式位移傳感器,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)繞組和兩個(gè)感測(cè)繞組局部交叉重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型電感式位移傳感器,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)繞組和兩個(gè)感測(cè)繞組相互平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型電感式位移傳感器,其特征在于,所述標(biāo)尺為圓形且圓周上均勻分布扇形柵格結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電體,所述繞組元件為圓形結(jié)構(gòu);標(biāo)尺沿柵格分布的圓周方向相對(duì)所述繞組元件旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的新型電感式位移傳感器,其特征在于,所述標(biāo)尺為上、下兩行柵格結(jié)構(gòu)為矩形結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的一種新型電感式位移傳感器,其特征在于,還包括驅(qū)動(dòng)電路,所述驅(qū)動(dòng)電路包括CMOS反相器;其中,所述CMOS反相器包括至少一個(gè)NMOS晶體管和至少一個(gè)PMOS晶體管,NMOS晶體管的漏極與PMOS晶體管的漏極相互連接,NMOS晶體管的柵極與PMOS晶體管的柵極相互連接,NMOS晶體管的源極接地,PMOS晶體管的源極接高電平,NMOS晶體管與PMOS晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)繞組元件共同構(gòu)成脈沖回路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種新型電感式位移傳感器,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)電路還包括電阻和電容;其中,所述CMOS反相器的NMOS晶體管與PMOS晶體管的漏極與所述電阻和所述電容及驅(qū)動(dòng)繞組共同構(gòu)成脈沖回路。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的一種新型電感式位移傳感器,其特征在于,還包括感測(cè)信號(hào)采樣電路,所述感測(cè)信號(hào)采樣電路包括至少四個(gè)邏輯門(mén)電路,每個(gè)邏輯門(mén)電路與兩個(gè)相應(yīng)的電子開(kāi)關(guān)的第一輸入端相連,其中一個(gè)電子開(kāi)關(guān)的輸出端與放大器的正極相連,另一個(gè)電子開(kāi)關(guān)的輸出端與放大器的負(fù)極相連,每個(gè)電子開(kāi)關(guān)的第一輸入端與相應(yīng)的繞組相連。
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