[實用新型]功率模塊和模塊化多電平轉換器有效
| 申請號： | 201721904920.1 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN208257683U | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發明（設計）人： | 李駿;劉黎明;徐璟;A·納米 | 申請（專利權）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分類號： | H02M7/483 | 分類號： | H02M7/483;H02M7/5387;H02M1/42 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率單元 半橋模塊 功率模塊 轉換器 模塊化多電平 功率單元串聯 半導體器件 功率損耗 耦合 耦合到 半橋 | ||
1.一種功率模塊，其特征在于，包括：
包括第一半橋模塊的第一功率單元；
包括第二半橋模塊的第二功率單元，所述第二功率單元通過串聯連接與所述第一功率單元串聯耦合；以及
第三半橋模塊，所述第三半橋模塊耦合到所述第一功率單元、所述第二功率單元和所述串聯連接。
2.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第一功率單元包括與所述第一半橋模塊并聯耦合的電容器。
3.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第二功率單元包括與所述第二半橋模塊并聯耦合的電容器。
4.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第一半橋模塊包括在第一中點連接處串聯耦合的第一半導體器件和第二半導體器件。
5.根據權利要求4所述的功率模塊，其特征在于，所述第二半橋模塊包括在第二中點連接處串聯耦合的第三半導體器件和第四半導體器件。
6.根據權利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述第三半橋模塊包括在第三中點連接處串聯耦合的第五半導體器件和第六半導體器件。
7.根據權利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述第二半導體器件包括耦合到所述第一中點連接的第一端子和耦合到所述串聯連接的第二端子；并且
所述第五半導體器件包括耦合到所述第一中點連接的第一端子。
8.根據權利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述第四半導體器件包括耦合到所述第二半橋模塊的第二中點連接的第一端子以及第二端子；并且所述第六半導體器件包括耦合到所述第三中點連接的第一端子和耦合到所述第四半導體器件的第二端子的第二端子。
9.根據權利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述第二半橋模塊的第二中點連接被耦合到所述串聯連接。
10.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第一半橋模塊包括多個半導體器件，并且其中所述多個半導體器件包括至少一個寬帶隙半導體開關。
11.根據權利要求10所述的功率模塊，其特征在于，第一半橋模塊包括以反并聯構型與開關耦合的至少一個續流二極管。
12.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第二半橋模塊包括多個半導體器件，并且其中所述多個半導體器件包括至少一個寬帶隙器件。
13.根據權利要求12所述的功率模塊，其特征在于，所述第二半橋模塊包括以反并聯構型與開關耦合的至少一個續流二極管。
14.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第三半橋模塊包括多個半導體器件，并且其中所述多個半導體器件包括至少一個寬帶隙器件。
15.根據權利要求14所述的功率模塊，其特征在于，第三半橋模塊包括以反并聯構型與開關耦合的至少一個續流二極管。
16.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，包括與所述第三半橋模塊并聯耦合的第四半橋模塊。
17.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，包括并聯耦合到所述第三半橋模塊的第四半橋模塊。
18.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，包括并聯耦合到所述第三半橋模塊的多個半橋模塊。
19.一種模塊化多電平轉換器，其特征在于，包括至少一個根據權利要求1所述的功率模塊。
20.根據權利要求19所述的模塊化多電平轉換器，其特征在于，包括功率模塊，其中一個根據權利要求1所述的功率模塊與另一個根據權利要求1所述的功率模塊并聯耦合。
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