[實用新型]一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置

有效

• 申請號: 201721903577.9
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN207713855U
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 吳亮;黃嘉麗;賀廣東;黃毅;雷丹;王琦琨;王智昊;龔加瑋
• 申請（專利權）人: 蘇州奧趨光電技術有限公司
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/40
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛

1.一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：包括用于放置氮化鋁粉源/氮化鋁燒結體的坩堝本體、設于所述坩堝本體頂部的坩堝蓋、設于所述坩堝本體中的位于所述坩堝蓋下方的籽晶臺、設于所述籽晶臺下方的導流加熱罩，所述導流加熱罩沿遠離所述籽晶臺的方向向下逐漸徑向張開，所述導流加熱罩位于所述氮化鋁粉源/氮化鋁燒結體的上方，所述導流加熱罩，可作為發熱源，用于將熱量導向所述籽晶臺的邊緣，使所述籽晶臺的邊緣溫度大于所述籽晶臺的中心溫度。

2.根據權利要求1所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述導流加熱罩的上端與所述籽晶臺之間間隙分布。

3.根據權利要求1所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述導流加熱罩的下端沿其周向抵觸于所述坩堝本體的內側周部。

4.根據權利要求1所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述坩堝本體包括第一本體、設于所述第一本體上方的第二本體，所述第一本體的內徑小于所述第二本體的內徑，所述導流加熱罩的下端抵設于所述第一本體的頂端。

5.根據權利要求1所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述導流加熱罩包括罩體、設于所述罩體中的用于加熱所述罩體的加熱機構。

6.根據權利要求1所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述坩堝裝置還包括設于所述坩堝本體中的用于隔開所述坩堝蓋和所述氮化鋁粉源/氮化鋁燒結體的隔板。

7.根據權利要求6所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述隔板上開設有通孔，所述籽晶臺包括設于所述坩堝蓋和所述隔板之間的第一臺體、連接在所述第一臺體下部的穿設于所述通孔中的第二臺體。

8.根據權利要求1所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述導流加熱罩呈錐形。

9.根據權利要求8所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述導流加熱罩的錐角在20°-160°之間。

10.根據權利要求1所述的一種通過物理氣相傳輸法生長氮化鋁單晶的坩堝裝置，其特征在于：所述導流加熱罩的厚度為1-10mm；所述導流加熱罩的底端與所述氮化鋁粉源/氮化鋁燒結體的頂端之間的距離為1-10mm。